Анализ вольтамперных характеристик диодов-генераторов широкополосного шума / В. В. Буслюк [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 280-281.

Анализ качества подзатворного диэлектрика по выходным характеристикам П-МОП транзистора / В. Б. Оджаев, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович [и др.] // Приборостроение-2012 : материалы 5-й Международной научно-технической конференции, 21–23 ноября 2012 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – ...

Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 347-348.

Влияние вида основной легирующей примеси в кремнии на эффективность диффузии иттербия / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - С. 236-238.

Исследованы изменения электрофизических параметров кремниевых диодов-генераторов шума ND103L, при облучении быстрыми электронами с энергией 5 МэВ дозами 3·1013–1·1015 cм–2. Установлено, что величины обратных токов при всех значениях обратного напряжения существенно возрастают в процессе облучения. Эффективное напряжения шума и спектральная плотность напряжения шума в процессе ...

Исследованы вольтамперные характеристики p-i-n-фотодиодов, содержащих геттеры, сфомированные имплантацией ионов сурьмы, на обратной стороне кремниевой пластины. Параллельно исследовались контрольные образцы, прошедшие все этапы технологического процесса изготовления приборов за исключением имплантации примесей в непланарную сторону пластины. Показано, что после формирования геттера ...

Дефектообразование за пределами области внедрения ионов в полимерных пленках / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 12-й Международной научно-технической конференции. Т. 3. - Минск : БНТУ, 2014. - С. 457.

Зарядовые свойства границ раздела Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4 / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 16-й Международной научно-технической конференции. – Минск : БНТУ, 2018. – Т. 3. – С. 410.

Исследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрии / С. А. Вабищевич [и др.] // Приборостроение-2015 : материалы 8-й международной научно-технической конференции, Минск, 25-27 ноября 2015 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2015. – Т. 1. - С. 208-209.

Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики p-i-n-фотодиодов на основе кремния с вертикальной структурой и охранным кольцом. Установлено, что заметная зависимость величины барьерной емкости (на частоте 1 кГц) и размеров области обеднения от температуры наблюдается только при приложенных обратных напряжениях, не превышающих контактную разность потенциалов (Vb ≤ 1 ...