Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов

Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов = Specific features of generation-recombination processes in the depletion region of p-i-n-photodiodes / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 318-319.

Abstract

Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики p-i-n-фотодиодов на основе кремния с вертикальной структурой и охранным кольцом. Установлено, что заметная зависимость величины барьерной емкости (на частоте 1 кГц) и размеров области обеднения от температуры наблюдается только при приложенных обратных напряжениях, не превышающих контактную разность потенциалов (Vb ≤ 1 В). На вольт-амперных характеристиках при обратном смещении можно выделить три области изменения тока в зависимости от приложенного напряжения: сублинейную, линейную и суперлинейную, обусловленные различными механизмами генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-n-перехода.

Abstract in another language

The current-voltage and capacitance-voltage characteristics of p-i-n-silicon-based photodiodes with a vertical structure and a guard ring have been investigated. It was found that a appreciable dependence of the barrier capacitance value (at a frequency of 1 kHz) and the size of the depletion region on temperature is observed only at applied reverse voltages not exceeding the contact potential difference (Vb ≤ 1 V). On the current-voltage characteristics at reverse bias, three regions of current variation can be distinguished depending on the applied voltage: sublinear, linear, and superlinear, due to different mechanisms of generation-recombination processes in the p-n-junction depletion region.