Browsing by Author "Пилипенко, В. А."

Now showing items 1-20 of 54

    • Алгоритм неразрушающих измерений пространственного распределения примеси железа в кремнии 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Свистун, А. И. (БНТУ, 2014)
      Алгоритм неразрушающих измерений пространственного распределения примеси железа в кремнии / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 52-54.
      2015-03-16

    • Алгоритмы обработки визуализированных изображений при картировании дефектов полупроводниковых пластин 

      Тявловский, А. К.; Жарин, А. Л.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Тявловский, К. Л.; Пантелеев, К. В.; Микитевич, В. А.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н. (БНТУ, 2016)
      Алгоритмы обработки визуализированных изображений при картировании дефектов полупроводниковых пластин / А. К. Тявловский [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 391-393.
      2017-04-04

    • Атомно-силовой микроскоп как средство контроля топологических размеров субмикронных интегральных схем 

      Пилипенко, В. А.; Чижик, С. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.; Кузнецова, Т. А. (БНТУ, 2008)
      Атомно-силовой микроскоп как средство контроля топологических размеров субмикронных интегральных схем / В. А. Пилипенко, С. А. Чижик, В. С. Сякерский [и др.] // Приборостроение-2008 : материалы 1-й Международной научно-технической конференции, 12-14 ноября 2008 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, ...
      2026-03-16

    • Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления 

      Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2019)
      Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 347-348.
      2020-01-03

    • Визуализация пространственного распределения примеси железа в кремнии на основе методов зондовой электрометрии 

      Воробей, Р. И.; Жарин, А. Л.; Микитевич, В. А.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н. (БНТУ, 2015)
      Визуализация пространственного распределения примеси железа в кремнии на основе методов зондовой электрометрии / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2015 : материалы 8-й международной научно-технической конференции, Минск, 25-27 ноября 2015 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2015. – Т. 1. - С. 169-171.
      2016-10-04

    • Визуализация электрического потенциала поверхности полупроводниковых структур 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Пилипенко, В. А.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2009)
      Визуализация электрического потенциала поверхности полупроводниковых структур / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин [и др.] // Приборостроение-2009 : материалы 2-й Международной научно-технической конференции, 11-13 ноября 2009 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 163-164.
      2026-03-13

    • Влияние адгезии на период свободных микрокачаний маятника 

      Джилавдари, И. З.; Пилипенко, В. А.; Ризноокая, Н. Н. (БГУИР, 2008)
      В статье экспериментально и теоретически показано, что наблюдаемая в области малых амплитуд колебаний зависимость периода от амплитуды у маятника, который опирается двумя шариками на плоскую поверхность, может быть следствием влияния сил адгезионного взаимодействия тел на пятне упругого контакта. На этой основе получены оценки давления сил адгезии и плотности энергии адгезионного ...
      2020-09-04

    • Влияние быстрой термической обработки на электрофизические свойства слоев силицидов NiPt(V) 

      Довгаль, М. И.; Щербакова, Е. Н.; Лапицкая, В. А.; Соловьев, Я. А.; Пилипенко, В. А. (БНТУ, 2025)
      В работе представлены результаты изучения электрофизических характеристик слоев силицидов Pt-Ni, полученных магнетронным осаждением и последующей быстрой термической обработкой.
      2026-01-14

    • Влияние импульсной фотонной обработки в среде азота на надёжность подзатворного оксида кремния, полученного пирогенным окислением 

      Ковальчук, Н. С.; Пилипенко, В. А.; Соловьёв, Я. А. (БНТУ, 2025)
      Надёжность подзатворного диэлектрика является ключевым фактором его применения в электронной компонентной базе современных устройств электроники. Время наработки на отказ слоёв оксида кремния зависит от плотности дефектов, обусловленных наличием гидроксильных групп и водорода в его объёме, и оборванных связей кремния на границе раздела с оксидом. Целью данной работы являлось ...
      2025-10-03

    • Диагностика методом ЭПР стабильности электрофизических параметров многофункционального диэлектрика в системе Si–SiO2 в процессе его технологической модификации 

      Олешкевич, А. Н.; Сернов, С. П.; Просолович, В. С.; Лапчук, Т. М.; Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Лапчук, М. Ю. (Интегралполиграф, 2024)
      В работе проводились исследования пластин монокристаллического кремния с ориентацией [100], ?-типа проводимости с основной легирующей примесью бора, удельным сопротивлением 12 Ом?см либо 0,005 Ом?см, с последующей обработкой согласно режиму технологической операции. Цель работы заключалась в изучении методом ЭПР влияния УФ-излучения на стабильность модифицированного ион-ной ...
      2025-02-05

    • Зондовые зарядочувствительные приборы и методы для контроля и визуализации электрофизических параметров полупроводниковых пластин 

      Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Турцевич, А. С.; Тявловский, А. К. (БНТУ, 2014)
      Зондовые зарядочувствительные приборы и методы для контроля и визуализации электрофизических параметров полупроводниковых пластин / О. К. Гусев [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 12-14.
      2015-03-16

    • Зондовые электрометрические методы для измерения удельного электрического сопротивления ионно-легированных и диффузионных слоев 

      Тявловский, А. К.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Пантелеев, К. В.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Свистун, А. И.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2019)
      Зондовые электрометрические методы для измерения удельного электрического сопротивления ионно-легированных и диффузионных слоев / А. К. Тявловский [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 36-38.
      2020-01-03

    • Измерение давления контактной адгезии методом свободных микрокачаний маятника 

      Джилавдари, И. 3.; Пилипенко, В. А.; Ризноокая, Н. Н. (БНТУ, 2008)
      Джилавдари, И. 3. Измерение давления контактной адгезии методом свободных микрокачаний маятника / И. 3. Джилавдари, В. А. Пилипенко, Н. Н. Ризноокая // Приборостроение-2008 : материалы 1-й Международной научно-технической конференции, 12-14 ноября 2008 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2008. ...
      2026-03-16

    • Измерительная система контроля полупроводниковых пластин СКАН-2013 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Свистун, А. И. (БНТУ, 2014)
      Измерительная система контроля полупроводниковых пластин СКАН-2013 / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 54-56.
      2015-03-16

    • Измерительно-информационные системы экспрессной оценки жизнеспособности микробных популяций 

      Драпеза, А. И.; Паркун, М. В.; Лобан, В. А.; Скороход, Г. А.; Пилипенко, В. А. (БНТУ, 2012)
      Измерительно-информационные системы экспрессной оценки жизнеспособности микробных популяций / А. И. Драпеза, М. В. Паркун, В. А. Лобан [и др.] // Приборостроение-2012 : материалы 5-й Международной научно-технической конференции, 21–23 ноября 2012 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 67-69.
      2026-03-11

    • Измерительный преобразователь для неразрушающей характеризации полупроводниковых структур с использованием коронного разряда 

      Воробей, Р. И.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2013)
      Измерительный преобразователь для неразрушающей характеризации полупроводниковых структур с использованием коронного разряда / Р. И. Воробей, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий [и др.] // Приборостроение-2013 : материалы 6-й Международной научно-технической конференции (20–22 ноября 2013 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. кол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2013. – С. 34-36.
      2025-06-12

    • Использование комбинированного воздействия коронным разрядом и оптическим излучением при исследованиях физических свойств полупроводниковых пластин 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Свистун, А. И. (БНТУ, 2011)
      Использование комбинированного воздействия коронным разрядом и оптическим излучением при исследованиях физических свойств полупроводниковых пластин / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин[и др.] // Приборостроение-2011 : материалы 4-й Международной научно-технической конференции, 16–18 ноября 2011 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, ...
      2026-03-12

    • Использование коронного разряда для контроля токов утечки диэлектрика в структуре кремний-диэлектрик 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Свистун, А. И. (БНТУ, 2012)
      Использование коронного разряда для контроля токов утечки диэлектрика в структуре кремний-диэлектрик / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин [и др.] // Приборостроение-2012 : материалы 5-й Международной научно-технической конференции, 21–23 ноября 2012 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. ...
      2026-03-11

    • Использование эффекта поверхностной фотоЭДС для определения примеси железа в кремнии 

      Воробей, Р. И.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2013)
      Использование эффекта поверхностной фотоЭДС для определения примеси железа в кремнии / Р. И. Воробей, А. Л. Жарин, А. Н. Петлицкий [и др.] // Приборостроение-2013 : материалы 6-й Международной научно-технической конференции (20–22 ноября 2013 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. кол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2013. – С. 162-163.
      2025-06-12

    • Исследование границы раздела алюминий-поликремний после воздействия длительного и быстрого термических отжигов методом энергодисперсионного рентгеновского микроанализа 

      Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В. (БНТУ, 2023)
      Приведены результаты исследования границы раздела алюминий-поликремний после воздействия длительного и быстрого термических отжигов методом энергодисперсионного рентгеновского микроанализа. Установлено, что при термическом отжиге (450 оС, 20 мин) поликремний полностью растворяется в алюминии с последующей его сегрегацией в виде отдельных агломератов в пленке алюминия. При быстром ...
      2023-12-21