Browsing by Author "Пилипенко, В. А."

Now showing items 21-28 of 28

    • Реализация режима модулированной поверхностной фотоЭДС в конструкции средств неразрушающего контроля полупроводниковых пластин 

      Жарин, А. Л.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Пантелеев, К. В.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н. (БНТУ, 2017)
      Реализация режима модулированной поверхностной фотоЭДС в конструкции средств неразрушающего контроля полупроводниковых пластин / А. Л. Жарин [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : ...
      2018-02-01

    • Режим самокалибровки зонда Кельвина для контроля электрофизических параметров полупроводниковых пластин 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Турцевич, А. С.; Тявловский, А. К. (БНТУ, 2014)
      Повышение воспроизводимости и достоверности результатов контроля электрофизических параметров полупроводниковых пластин зондовыми зарядочувствительными методами обеспечивается в работе за счет реализации режима самокалибровки зонда Кельвина, при котором в качестве образца для калибровки используется поверхность самой контролируемой пластины. Измерения выполняются в сканирующем ...
      2014-12-17

    • Способ формирования геттерирующего скрытого слоя 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И.; Пилипенко, В. А. (БНТУ, 2021)
      Рассмотрен способ формирования геттерирующего слоя в составе транзисторной структуры интегральной схемы. Для введения вольфрама в качестве геттерирующей примеси предлагается использовать метод газоразрядного легирования в режиме тлеющего разряда или интенсификацию процесса методом лазерного распыления материала мишени.
      2022-02-02

    • Уменьшение шумовой составляющей сигнала сканирующего зонда Кельвина 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н. (БНТУ, 2015)
      Уменьшение шумовой составляющей сигнала сканирующего зонда Кельвина / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2015 : материалы 8-й международной научно-технической конференции, Минск, 25-27 ноября 2015 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2015. – Т. 1. - С. 167-169.
      2016-10-04

    • Установка для бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах диаметром до 200 мм 

      Свистун, А. И.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Пантелеев, К. В.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2019)
      Установка для бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах диаметром до 200 мм / А. И. Свистун [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск ...
      2020-01-03

    • Характеризация технологических процессов получения туннельного окисла с использованием методов сканирующей зондовой электрометрии 

      Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Пантелеев, К. В. (БНТУ, 2022)
      Рассмотрено применение установки фотостимулированной сканирующей зондовой электрометрии для выявления дефектов ионно-легированных и диффузионных слоев полупроводниковой пластины после операции туннельного окисления, выполненной в различных технологических режимах. Измерения в двух режимах (измерения контактной разности потенциалов и визуализации длины диффузии неравновесных ...
      2022-12-28

    • Характеризация электрофизических свойств границы раздела кремний-двуокись кремния с использованием методов зондовой электрометрии 

      Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Филипеня, В. А.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Пантелеев, К. В.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2017)
      Анализ микронеоднородностей в системе кремний-двуокись кремния становится наиболее актуальным в связи с переходом микроэлектронной промышленности к субмикронным проектным нормам и уменьшением толщины подзатворного диэлектрика. Целью исследования являлось развитие методов неразрушающего контроля полупроводниковых пластин на основе определения электрофизических свойств границы ...
      2017-12-15

    • Экспрессный контроль надежности подзатворного диэлектрика полупроводниковых приборов 

      Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Чигирь, Г. Г.; Филипеня, В. А.; Горушко, В. А. (БНТУ, 2018)
      Ключевым элементом, определяющим стабильность полупроводниковых приборов, является подзатворный диэлектрик. По мере уменьшения его толщины в процессе масштабирования растет совокупный объем факторов, определяющих его электрофизические свойства. Целью данной работы являлась разработка экспрессного метода контроля времени наработки на отказ подзатворного диэлектрика и исследование ...
      2019-01-02