Диагностика методом ЭПР стабильности электрофизических параметров многофункционального диэлектрика в системе Si–SiO2 в процессе его технологической модификации
Another Title
EPR diagnostics of the stability of electrophysical parameters of a multifunctional dielectric in the Si–SiO2 system during its technological modification
Bibliographic entry
Диагностика методом ЭПР стабильности электрофизических параметров многофункционального диэлектрика в системе Si–SiO2 в процессе его технологической модификации = EPR diagnostics of the stability of electrophysical parameters of a multifunctional dielectric in the Si–SiO2 system during its technological modification / А. Н. Олешкевич, С. П. Сернов, В. С. Просолович [и др.] // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 163-164.
Abstract
В работе проводились исследования пластин монокристаллического кремния с ориентацией [100], ?-типа проводимости с основной легирующей примесью бора, удельным сопротивлением 12 Ом?см либо 0,005 Ом?см, с последующей обработкой согласно режиму технологической операции. Цель работы заключалась в изучении методом ЭПР влияния УФ-излучения на стабильность модифицированного ион-ной имплантацией поверхностного слоя кремния после процесса быстрого термического отжига. Облучение УФ излучением исследуемых образцов показало, что их сопротивление в микроволновом диапазоне измерений и резонансная частота возрастают, а при последующем облучении структур и регистрации спектров ЭПР наблюдается стабилизация резонансной частоты.
Abstract in another language
The work was carried out to study single-crystal silicon wafers with the orientation [100], p-type conductivity with the main dopant of boron, specific resistance of 12 Ohm?cm or 0.005 Ohm?cm, with subsequent processing according to the mode of the technological operation. The aim of the work was to study the effect of UV-radiation on the stability of the surface layer of silicon modified by ion implantation after the process of rapid thermal annealing using the EPR method. Irradiation of the studied samples with UV-radiation showed that their resistance in the microwave measurement range and resonant frequency increase, and with subsequent irradiation of the structures and recording of the EPR spectra, stabilization of the resonant frequency is observed.