Исследование границы раздела алюминий-поликремний после воздействия длительного и быстрого термических отжигов методом энергодисперсионного рентгеновского микроанализа
Another Title
Study of the aluminum-polysilicon interface after impact of long-term and rapid thermal annealing by energy dispersive x-ray microanalysis method
Bibliographic entry
Исследование границы раздела алюминий-поликремний после воздействия длительного и быстрого термических отжигов методом энергодисперсионного рентгеновского микроанализа = Study of the aluminum-polysilicon interface after impact of long-term and rapid thermal annealing by energy dispersive x-ray microanalysis method / В. А. Пилипенко [и др.] // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 119-120.
Abstract
Приведены результаты исследования границы раздела алюминий-поликремний после воздействия длительного и быстрого термических отжигов методом энергодисперсионного рентгеновского микроанализа. Установлено, что при термическом отжиге (450 оС, 20 мин) поликремний полностью растворяется в алюминии с последующей его сегрегацией в виде отдельных агломератов в пленке алюминия. При быстром термическом отжиге (450 оС, 7 с) такого явления не обнаружено. Таким образом, замена традиционно используемого термического отжига на быстрый термический отжиг наиболее целесообразна, поскольку позволяет существенно уменьшить растворение поликремния в алюминии, и избежать разрушение омических контактов в процессе изготовления интегральных микросхем.
Abstract in another language
The results of studying the aluminum-polysilicon interface after exposure to long-term and rapid thermal annealing using energy dispersive X-ray microanalysis are presented. It has been established that during thermal annealing (450 °C, 20 min), polysilicon is completely dissolved in aluminum, followed by its segregation in the form of separate agglomerates in aluminum. During rapid thermal annealing (450 °C, 7 s), such a phenomenon was not detected. Thus, replacing thermal annealing with rapid thermal annealing is most appropriate, since it allows reducing the dissolution of polysilicon in aluminum and avoiding the destruction of ohmic contacts during the manufacture of integrated circuits.