Browsing by Author "Ковальчук, Н. С."

Now showing items 1-9 of 9

    • Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов 

      Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2020)
      Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов / Н. И. Горбачук [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 325-326.
      2021-02-09

    • Влияние верхнего оксидного слоя в оптических микрорезонаторах на основе нитрида кремния 

      Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Романов, И. А.; Альжанова, А. Е.; Демидович, С. А.; Ковальчук, Н. С. (БНТУ, 2022)
      Структуры SiNx/SiOx и SiOx/SiNx/SiOx были изготовлены на кремниевых подложках методами химического осаждения (PECVD, LPCVD). Показано, что верхний слой оксида кремния защищает нижележащий нитридный слой от непреднамеренного окисления во время быстрого термического отжига в инертной среде (1100 °C, 3 мин). Кроме того, верхний слой оксида кремния увеличивает выход фотолюминесценции ...
      2022-12-28

    • Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов 

      Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2019)
      Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 345-346.
      2020-01-03

    • Исследование границы раздела алюминий-поликремний после воздействия длительного и быстрого термических отжигов методом энергодисперсионного рентгеновского микроанализа 

      Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В. (БНТУ, 2023)
      Приведены результаты исследования границы раздела алюминий-поликремний после воздействия длительного и быстрого термических отжигов методом энергодисперсионного рентгеновского микроанализа. Установлено, что при термическом отжиге (450 оС, 20 мин) поликремний полностью растворяется в алюминии с последующей его сегрегацией в виде отдельных агломератов в пленке алюминия. При быстром ...
      2023-12-21

    • Мемристорная структура на основе нестехиометрического нитрида кремния 

      Комаров, Ф. Ф.; Романов, И. А.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Моховиков, М. А.; Цивако, А. А.; Ковальчук, Н. С. (БНТУ, 2021)
      Исследованы электрофизические свойства и эффект резистивного переключения мемристорной структуры ITO/SiNx/Si. Концентрация избыточных атомов кремния в пленке SiNx, толщиной ~200 нм, увеличивалась от 16 до 77 % по мере продвижения вглубь образца. Обсуждаются эффект переключения сопротивления и механизмы проводимости в состояниях с высоким и низким сопротивлением. Для данной структуры ...
      2022-02-02

    • Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2021)
      Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики p-i-n-фотодиодов на основе кремния с вертикальной структурой и охранным кольцом. Установлено, что заметная зависимость величины барьерной емкости (на частоте 1 кГц) и размеров области обеднения от температуры наблюдается только при приложенных обратных напряжениях, не превышающих контактную разность потенциалов (Vb ≤ 1 ...
      2022-02-02

    • Особенности подготовки и ведения обороны в населенном пункте 

      Малявский, Д. Г.; Ковальчук, Н. С. (БНТУ, 2022)
      Малявский, Д. Г. Особенности подготовки и ведения обороны в населенном пункте / Д. Г. Малявский, Н. С. Ковальчук ; науч. рук. Ф. В. Гайченя // Работа командиров общевойсковых, технических и инженерных подразделений по организации и выполнению боевых задач в современных условиях [Электронный ресурс] : материалы 78-й Республиканской научно-технической конференции курсантов и студентов ...
      2022-08-11

    • Пленки SinX с низкими механическими напряжениями для микросистемных применений, синтезированные в ICP-реакторе 

      Ковальчук, Н. С.; Демидович, С. А.; Комаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н. (БНТУ, 2022)
      Пленки SiNx с механическими напряжениями в диапазоне от –10 до –625 МПа синтезированы в реакторе индуктивно-связанной плазмы (ICP) из смеси «SiH4 – N2 – Ar». Обогащение нитридных пленок азотом приводит к снижению механических напряжений до –10 МПа. При подъеме мощности ICP-источника механические напряжения возрастают вплоть до –625 МПа при 800 Вт. Варьирование температуры осаждения ...
      2022-12-28

    • Энергодисперсионный рентгеновский микроанализ – как метод исследования границы раздела алюминий-поликремний после воздействия длительного и быстрого термических отжигов 

      Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Шестовский, Д. В.; Жигулин, Д. В. (БНТУ, 2024)
      Энергодисперсионный рентгеновский микроанализ является одним из основных методов по определению элементного состава вещества. Обладая высокой локальностью и относительно малой глубиной проникновения электронного луча (< 1 мкм), данный метод нашёл широкое применение в области микроэлектроники, как основной метод анализа элементного состава вещества. Метод позволяет исследовать ...
      2024-07-16