Влияние верхнего оксидного слоя в оптических микрорезонаторах на основе нитрида кремния
Another Title
The effect of upper oxide layer in optical capacitor based on silicon nitride
Bibliographic entry
Влияние верхнего оксидного слоя в оптических микрорезонаторах на основе нитрида кремния = The effect of upper oxide layer in optical capacitor based on silicon nitride / И. Н. Пархоменко [и др.] // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 265-267.
Abstract
Структуры SiNx/SiOx и SiOx/SiNx/SiOx были изготовлены на кремниевых подложках методами химического осаждения (PECVD, LPCVD). Показано, что верхний слой оксида кремния защищает нижележащий нитридный слой от непреднамеренного окисления во время быстрого термического отжига в инертной среде (1100 °C, 3 мин). Кроме того, верхний слой оксида кремния увеличивает выход фотолюминесценции от слоя нитрида кремния в три раза. Обсуждается различие слоев оксида кремния, образующегося при высокотемпературном отжиге SiNx и слоя SiO2, нанесенного на слой нитрида кремния методом PECVD.
Abstract in another language
Nonlinear equation for propagation of the nerve impulse in biological systems is considered. For this equation the solutions of different topological classes are constructed.