Пленки SinX с низкими механическими напряжениями для микросистемных применений, синтезированные в ICP-реакторе
Another Title
Low stress sinx films for applications in microsystems synthesized in ICP-reactor
Bibliographic entry
Пленки SinX с низкими механическими напряжениями для микросистемных применений, синтезированные в ICP-реакторе = Low stress sinx films for applications in microsystems synthesized in ICP-reactor / Н. С. Ковальчук [и др.] // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 445-446.
Abstract
Пленки SiNx с механическими напряжениями в диапазоне от –10 до –625 МПа синтезированы в реакторе индуктивно-связанной плазмы (ICP) из смеси «SiH4 – N2 – Ar». Обогащение нитридных пленок азотом приводит к снижению механических напряжений до –10 МПа. При подъеме мощности ICP-источника механические напряжения возрастают вплоть до –625 МПа при 800 Вт. Варьирование температуры осаждения от 25 до 350 ºС существенно не влияет на уровень напряжений и показатель преломления, а также на скорость роста SiNx. Оценен дрейф остаточных напряжений в течение трех недель после осаждения, а также содержание кислорода в пленках SiNx в зависимости от режима осаждения.
Abstract in another language
SiNx films with the residual mechanical stresses from –10 to –625 MPa have been synthesized using “SiH4 – N2 – Ar” mixture in the inductively-coupled plasma (ICP) reactor. An enrichment of nitride films with nitrogen leads to a stress decrease to –10 MPa. An increase of ICP-source power results in a residual stress increase untill to –625 MPa at 800 W. A deposition temperature variation from 25 to 350 ºC does not affect substantially a stress level and refractive index as well as SiNx growth rate. A stresses drift in SiNx films measured during three weeks after deposition has been evaluated as well as the oxygen content in fims deposited in different regimes.