Мемристорная структура на основе нестехиометрического нитрида кремния
Another Title
Memristor structure based on nonstoichiometric silicon nitride
Bibliographic entry
Мемристорная структура на основе нестехиометрического нитрида кремния = Memristor structure based on nonstoichiometric silicon nitride / Ф. Ф. Комаров [и др.] // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 83-85.
Abstract
Исследованы электрофизические свойства и эффект резистивного переключения мемристорной структуры ITO/SiNx/Si. Концентрация избыточных атомов кремния в пленке SiNx, толщиной ~200 нм, увеличивалась от 16 до 77 % по мере продвижения вглубь образца. Обсуждаются эффект переключения сопротивления и механизмы проводимости в состояниях с высоким и низким сопротивлением. Для данной структуры также обнаружен эффект фотопереключения.
Abstract in another language
The electrophysical properties and the resistive switching effect of the ITO/SiNx/Si memristor structure have been studied. Concentration of excess silicon atoms in the SiNx film with a thickness of ~200 nm increases from 16 to 77 % when approaching the Si substrate.The resistive switching effect and conduction mechanism at high and low resistance states are discussed. The photo-switching effect was also found for that structure.