Browsing Приборостроение by Author "Ковальчук, Н. С."
Now showing items 1-7 of 7
-
Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов
Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2020)Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов / Н. И. Горбачук [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 325-326.2021-02-09 -
Влияние верхнего оксидного слоя в оптических микрорезонаторах на основе нитрида кремния
Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Романов, И. А.; Альжанова, А. Е.; Демидович, С. А.; Ковальчук, Н. С. (БНТУ, 2022)Структуры SiNx/SiOx и SiOx/SiNx/SiOx были изготовлены на кремниевых подложках методами химического осаждения (PECVD, LPCVD). Показано, что верхний слой оксида кремния защищает нижележащий нитридный слой от непреднамеренного окисления во время быстрого термического отжига в инертной среде (1100 °C, 3 мин). Кроме того, верхний слой оксида кремния увеличивает выход фотолюминесценции ...2022-12-28 -
Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов
Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2019)Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 345-346.2020-01-03 -
Исследование границы раздела алюминий-поликремний после воздействия длительного и быстрого термических отжигов методом энергодисперсионного рентгеновского микроанализа
Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В. (БНТУ, 2023)Приведены результаты исследования границы раздела алюминий-поликремний после воздействия длительного и быстрого термических отжигов методом энергодисперсионного рентгеновского микроанализа. Установлено, что при термическом отжиге (450 оС, 20 мин) поликремний полностью растворяется в алюминии с последующей его сегрегацией в виде отдельных агломератов в пленке алюминия. При быстром ...2023-12-21 -
Мемристорная структура на основе нестехиометрического нитрида кремния
Комаров, Ф. Ф.; Романов, И. А.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Моховиков, М. А.; Цивако, А. А.; Ковальчук, Н. С. (БНТУ, 2021)Исследованы электрофизические свойства и эффект резистивного переключения мемристорной структуры ITO/SiNx/Si. Концентрация избыточных атомов кремния в пленке SiNx, толщиной ~200 нм, увеличивалась от 16 до 77 % по мере продвижения вглубь образца. Обсуждаются эффект переключения сопротивления и механизмы проводимости в состояниях с высоким и низким сопротивлением. Для данной структуры ...2022-02-02 -
Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов
Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2021)Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики p-i-n-фотодиодов на основе кремния с вертикальной структурой и охранным кольцом. Установлено, что заметная зависимость величины барьерной емкости (на частоте 1 кГц) и размеров области обеднения от температуры наблюдается только при приложенных обратных напряжениях, не превышающих контактную разность потенциалов (Vb ≤ 1 ...2022-02-02 -
Пленки SinX с низкими механическими напряжениями для микросистемных применений, синтезированные в ICP-реакторе
Ковальчук, Н. С.; Демидович, С. А.; Комаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н. (БНТУ, 2022)Пленки SiNx с механическими напряжениями в диапазоне от –10 до –625 МПа синтезированы в реакторе индуктивно-связанной плазмы (ICP) из смеси «SiH4 – N2 – Ar». Обогащение нитридных пленок азотом приводит к снижению механических напряжений до –10 МПа. При подъеме мощности ICP-источника механические напряжения возрастают вплоть до –625 МПа при 800 Вт. Варьирование температуры осаждения ...2022-12-28