Методы картирования приборных слоев полупроводниковых пластин
Another Title
Methods of device layers mapping for semiconductor wafers
Bibliographic entry
Методы картирования приборных слоев полупроводниковых пластин = Methods of device layers mapping for semiconductor wafers / Р. И. Воробей [и др.] // Современные методы и приборы контроля качества и диагностики состояния объектов : сборник статей 6-й Международной научно-технической конференции, Могилев, 19-20 сентября 2017 г. / Белорусско-Российский университет ; отв. ред. И. С. Сазонов. – Могилев : Белорусско-Российский университет, 2017. – С. 210-215.
Abstract
В статье выполнен сравнительный анализ методов картирования приборных слоев полупроводниковых пластин. Показана перспективность методов на основе регистрации изменений потенциала поверхности зондовым электрометрическим преобразователем в режиме статической либо динамической фотоЭДС, отличающихся полностью неразрушающим характером измерений и позволяющих получить ряд новых количественных и качественных характеристик приборных слоев.
Abstract in another language
Methods of device layers mapping for semiconductor wafers are discussed and compared. Probe electrometry methods based on surface potential registration in a static or dynamic SPV mode allow a completely non-destruction testing that gives a number of new quantitative and qualitative parameters of the device layers.