| dc.contributor.author | Воробей, Р. И. | ru |
| dc.contributor.author | Гусев, О. К. | ru |
| dc.contributor.author | Жарин, А. Л. | ru |
| dc.contributor.author | Пантелеев, К. В. | ru |
| dc.contributor.author | Самарина, А. В. | ru |
| dc.contributor.author | Свистун, А. И. | ru |
| dc.contributor.author | Тявловский, А. К. | ru |
| dc.contributor.author | Тявловский, К. Л. | ru |
| dc.coverage.spatial | Могилев | ru |
| dc.date.accessioned | 2021-05-14T10:26:00Z | |
| dc.date.available | 2021-05-14T10:26:00Z | |
| dc.date.issued | 2017 | ru |
| dc.identifier.citation | Методы картирования приборных слоев полупроводниковых пластин = Methods of device layers mapping for semiconductor wafers / Р. И. Воробей [и др.] // Современные методы и приборы контроля качества и диагностики состояния объектов : сборник статей 6-й Международной научно-технической конференции, Могилев, 19-20 сентября 2017 г. / Белорусско-Российский университет ; отв. ред. И. С. Сазонов. – Могилев : Белорусско-Российский университет, 2017. – С. 210-215. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/91961 | en |
| dc.description.abstract | В статье выполнен сравнительный анализ методов картирования приборных слоев полупроводниковых пластин. Показана перспективность методов на основе регистрации изменений потенциала поверхности зондовым электрометрическим преобразователем в режиме статической либо динамической фотоЭДС, отличающихся полностью неразрушающим характером измерений и позволяющих получить ряд новых количественных и качественных характеристик приборных слоев. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Белорусско-Российский университет | ru |
| dc.title | Методы картирования приборных слоев полупроводниковых пластин | ru |
| dc.title.alternative | Methods of device layers mapping for semiconductor wafers | en |
| dc.type | Working Paper | en |
| local.description.annotation | Methods of device layers mapping for semiconductor wafers are discussed and compared. Probe electrometry methods based on surface potential registration in a static or dynamic SPV mode allow a completely non-destruction testing that gives a number of new quantitative and qualitative parameters of the device layers. | en |
