Browsing by Author "Турцевич, А. С."

Now showing items 1-15 of 15

    • Анализ качества подзатворного диэлектрика по выходным характеристикам П-МОП транзистора 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Черный, В. В.; Шведов, С. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2012)
      Анализ качества подзатворного диэлектрика по выходным характеристикам П-МОП транзистора / В. Б. Оджаев, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович [и др.] // Приборостроение-2012 : материалы 5-й Международной научно-технической конференции, 21–23 ноября 2012 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – ...
      2026-03-11

    • Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Дубровский, В. А. (2014)
      Исследованы ВАХ МОП-транзисторов, созданных по эпитаксиально-планарной технологии в различное время с использованием идентичных технологических материалов по аналогичным технологическим маршрутам. Установлено, что электрофизические характеристики МОП-транзисторов существенным образом зависят от качества подзатворного диэлектрика. Наличие дополнительного встроенного заряда в ...
      2019-02-04

    • Динамический импеданс-спектрометр тепловых процессов в полупроводниковых приборах 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Доманевский, Д. С.; Ломако, В. М.; Кононенко, В. К.; Керенцев, А. Ф.; Турцевич, А. С. (БНТУ, 2008)
      Динамический импеданс-спектрометр тепловых процессов в полупроводниковых приборах / Ю. А. Бумай, О. С. Васьков, Д. С. Доманевский [и др.] // Приборостроение-2008 : материалы 1-й Международной научно-технической конференции, 12-14 ноября 2008 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2008. – С. 62-63.
      2026-03-16

    • Зондовые зарядочувствительные приборы и методы для контроля и визуализации электрофизических параметров полупроводниковых пластин 

      Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Турцевич, А. С.; Тявловский, А. К. (БНТУ, 2014)
      Зондовые зарядочувствительные приборы и методы для контроля и визуализации электрофизических параметров полупроводниковых пластин / О. К. Гусев [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 12-14.
      2015-03-16

    • Комплексный контроль качества герметизирующих швов металлостеклянных корпусов полупроводниковых приборов 

      Волкенштейн, С. С.; Хмыль, А. А.; Турцевич, А. С.; Керенцев, А. Ф. (БНТУ, 2011)
      Комплексный контроль качества герметизирующих швов металлостеклянных корпусов полупроводниковых приборов / С. С. Волкенштейн, А. А. Хмыль, А. С. Турцевич, А. Ф. Керенцев // Приборостроение-2011 : материалы 4-й Международной научно-технической конференции, 16–18 ноября 2011 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – ...
      2026-03-12

    • Контроль дефектов структуры кремний-диэлектрик на основе анализа пространственного распределения потенциала по поверхности полупроводниковых пластин 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Турцевич, А. С.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2013)
      Рассмотрено применение метода Кельвина–Зисмана (контактной разности потенциалов) для неразрушающего контроля и выявления дефектов структур кремний-диэлектрик. Метод использовался для визуализации распределения электрического потенциала поверхности и изгиба энергетических зон по поверхности термически окисленной кремниевой пластины, легированной бором. Полученная картина распределения ...
      2014-06-02

    • Мониторинг технологического процесса герметизации интегральных схем 

      Солодуха, В. А.; Турцевич, А. С.; Соловьев, Я. А.; Рубцевич, И. И.; Керенцев, А. Ф.; Довженко, А. А.; Чирко, И. В. (БНТУ, 2013)
      Высокая надежность интегральных схем специального назначения в металлокерамических корпусах на стадии производства достигается в результате минимизации содержания влаги в корпусе и постоянного измерения параметров среды герметизации. Показано, что использование приборов контроля режимов контактной сварки и приборов для комплексного измерения параметров атмосферы установки ...
      2013-12-02

    • Надежность мощных транзисторов в пластмассовом корпусе для поверхностного монтажа 

      Турцевич, А. С.; Волкенштейн, С. С.; Керенцев, А. Ф.; Хмыль, А. А. (БНТУ, 2013)
      Надежность мощных транзисторов в пластмассовом корпусе для поверхностного монтажа / А. С. Турцевич, С. С. Волкенштейн, А. Ф. Керенцев, А. А. Хмыль // Приборостроение-2013 : материалы 6-й Международной научно-технической конференции (20–22 ноября 2013 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. кол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2013. – С. 236-238.
      2025-06-12

    • Оценка тепловых параметров мощных биполярных транзисторов методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии 

      Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Турцевич, А. С.; Керенцев, А. Ф.; Кононенко, В. К. (БНТУ, 2015)
      Температурный режим работы электронной аппаратуры определяет надежность и стабильность оборудования. Это приводит к необходимости детального теплового анализа полупроводниковых приборов. Цель работы – оценка тепловых параметров мощных биполярных транзисторов в пластмассовых корпусах TO-252 и TO-126 методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии. Тепловые постоянные ...
      2015-12-30

    • Режим самокалибровки зонда Кельвина для контроля электрофизических параметров полупроводниковых пластин 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Турцевич, А. С.; Тявловский, А. К. (БНТУ, 2014)
      Повышение воспроизводимости и достоверности результатов контроля электрофизических параметров полупроводниковых пластин зондовыми зарядочувствительными методами обеспечивается в работе за счет реализации режима самокалибровки зонда Кельвина, при котором в качестве образца для калибровки используется поверхность самой контролируемой пластины. Измерения выполняются в сканирующем ...
      2014-12-17

    • Создание высокосовершенных и высокочистых структур кремния 

      Оджаев, В. Б.; Челядинский, А. Р.; Садовский, П. К.; Турцевич, А. С. (БНТУ, 2014)
      Создание высокосовершенных и высокочистых структур кремния / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 358-360.
      2015-03-24

    • Создание геттера в кремнии методом имплантации сурьмы и параметры полупроводниковых приборов 

      Садовский, П. К.; Челядинский, А. Р.; Оджаев, В. Б.; Турцевич, А. С.; Васильев, Ю. Б. (БНТУ, 2013)
      Создание геттера в кремнии методом имплантации сурьмы и параметры полупроводниковых приборов / П. К. Садовский, А. Р. Челядинский, В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2013 : материалы 6-й Международной научно-технической конференции (20–22 ноября 2013 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. кол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2013. – С. 357-359.
      2025-06-12

    • Сравнительный анализ тепловых параметров мощных биполярных транзисторов различных производителей 

      Нисс, В. С.; Васьков, О. С.; Турцевич, А. С.; Рубцевич, И. И.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф.; Кононенко, В. К. (БНТУ, 2014)
      Сравнительный анализ тепловых параметров мощных биполярных транзисторов различных производителей / В. С. Нисс [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 356-358.
      2015-03-24

    • Установка для получения пленки дисилицида титана 

      Турцевич, А. С.; Колос, В. В.; Адашкевич, С. В.; Стельмах, В. Ф.; Маркевич, М. И.; Чапланов, А. М. (БНТУ, 2011)
      Установка для получения пленки дисилицида титана / А. С. Турцевич, В. В. Колос, С. В. Адашкевич[и др.] // Приборостроение-2011 : материалы 4-й Международной научно-технической конференции, 16–18 ноября 2011 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2011. – С. 409-411.
      2026-03-12

    • Формирование и контроль системы металлизации Mo-Ni-Au на бериллиевой керамике 

      Волкенштейн, С. С.; Турцевич, А. С.; Соловьёв, Я. А.; Керенцев, А. Ф.; Хмыль, А. А. (БНТУ, 2012)
      Формирование и контроль системы металлизации Mo-Ni-Au на бериллиевой керамике / С. С. Волкенштейн, А. С. Турцевич, Я. А. Соловьёв [и др.] // Приборостроение-2012 : материалы 5-й Международной научно-технической конференции, 21–23 ноября 2012 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 256-258.
      2026-03-11