| dc.contributor.author | Ивлев, Г. Д. | ru |
| dc.contributor.author | Прокопьев, С. Л. | ru |
| dc.contributor.author | Гацкевич, Е. И. | ru |
| dc.contributor.author | Файзрахманов, И. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2021-05-27T15:18:24Z | |
| dc.date.available | 2021-05-27T15:18:24Z | |
| dc.date.issued | 2017 | ru |
| dc.identifier.citation | Импульсная лазерная обработка и лазерно-индуцированная проводимость тонкопленочного германия = Pulsed laser processing and laser-induced conductivity of thin film germanium / Г. Д. Ивлев [и др.] // Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of radiation with solids: [ВИТТ ― 2017] : материалы 12-й Международной конференции, Минск, Беларусь, 19―22 сентября 2017 г. – Минск : Издательский центр БГУ, 2017. – С. 244-246. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/93475 | en |
| dc.description.abstract | Проводилась кристаллизация тонкопленочного германия под действием наносекундного излучения рубинового лазера. Исследована лазерно-индуцированная проводимость (ЛП) исходной пленки a-Ge:Sb, осажденной на сапфировую подложку методом ионно-лучевого распыления составной мишени, и поликристаллических слоев n+-Ge:Sb, сформированных лазерной обработкой a-Ge:Sb. Установлены зависимости отклика ЛП от плотности энергии возбуждающего излучения и от энергетического режима лазерной обработки. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru |
| dc.title | Импульсная лазерная обработка и лазерно-индуцированная проводимость тонкопленочного германия | ru |
| dc.title.alternative | Pulsed laser processing and laser-induced conductivity of thin film germanium | en |
| dc.type | Working Paper | en |
| local.description.annotation | Crystallization of thin film germanium with stibium dopant was realized by nanopulsed ruby laser irradiation (λ = 0,69 μm, 75 ns FWHM) at the laser energy density from 0,25 to 1,1 J/cm2. Laser-induced conductivity (LiC) of the a-Ge:Sb film formed on sapphire substrate by Xe+ ion-beam sputtering of a composite target and polycrystalline n+-Ge:Sb layers formed by the laser processing of the a-Ge:Sb film were investigated. The dependences of LiC response on the energy density of excitation radiation and on the energy regimes of the laser treatments were determined. The LiC effect is predominantly caused by the thermal effect of laser radiation. | en |
