Формирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля
Date
2014Another Title
Formation and investigation of Schottky diodes based on platinum and nickel silicide
Bibliographic entry
Формирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля = Formation and investigation of Schottky diodes based on platinum and nickel silicide / М. И. Маркевич [и др.] // Вестник БарГУ. – 2016. – № 4. – С. 48-54.
Abstract
Диоды Шоттки находят широкое применение в системах электроники. В настоящей работе определена высота барьера диодов Шоттки, сформированных на основе тонкоплёночной системы NiV-Pt при различных режимах отжига. Методами электронографии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы изменения элементного состава и установлены фазовые превращения, происходящие в данных системах при двухстадийном стационарном отжиге в атмосфере азота в зависимости от температуры и времени воздействия.
Abstract in another language
Schottky diodes are widely used in electronics systems. The article deals with the height of Shottky diode barrier formed on the basis of NiV-Pt/Si thin film system in different annealing modes. Using the methods of electronography and X-ray microanalysis the changes in elemental composition and phase transformations of these systems in the conditions of two-step stationary annealing under nitrogen environment depending on exposure time and temperature are investigated.