Browsing Приборы и методы измерений by Author "Пилипенко, В. А."

Now showing items 1-8 of 8

    • Комплекс для неразрушающего контроля субмикронной топологии кремниевых пластин при производстве интегральных микросхем 

      Чижик, С. А.; Басалаев, С. П.; Пилипенко, В. А.; Худолей, А. Л.; Кузнецова, Т. А.; Чикунов, В. В.; Суслов, А. А. (БНТУ, 2013)
      Описаны преимущества использования атомно-силовой микроскопии для контроля технологических процессов при изготовлении интегральных микросхем субмикро- электроники. Показана возможность визуализации морфологии поверхностей и профиля травления, оценки периодичности гребенок шин, определения стабильности размеров для одной шины. Выполнены работы по совмещению оптической и атомно-силовой ...
      2013-11-01

    • Контроль дефектов структуры кремний-диэлектрик на основе анализа пространственного распределения потенциала по поверхности полупроводниковых пластин 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Турцевич, А. С.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2013)
      Рассмотрено применение метода Кельвина–Зисмана (контактной разности потенциалов) для неразрушающего контроля и выявления дефектов структур кремний-диэлектрик. Метод использовался для визуализации распределения электрического потенциала поверхности и изгиба энергетических зон по поверхности термически окисленной кремниевой пластины, легированной бором. Полученная картина распределения ...
      2014-06-02

    • Метод и установка контроля плоскостности кремниевых пластин 

      Пилипенко, В. А.; Горушко, В. А.; Понарядов, В. В.; Шведов, С. В.; Петлицкий, А. Н. (БНТУ, 2011)
      Предложен метод и разработана установка лазерного контроля стрелы прогиба и профиля изгиба полупроводниковых пластин. Метод основан на регистрации отклонения отраженного лазерного луча от положения, соответствующего отражению от идеально плоской поверхности. Установлено, что по результатам определения угла наклона касательной в любой точке поверхности, определяемой путем ...
      2012-03-26

    • Режим самокалибровки зонда Кельвина для контроля электрофизических параметров полупроводниковых пластин 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Турцевич, А. С.; Тявловский, А. К. (БНТУ, 2014)
      Повышение воспроизводимости и достоверности результатов контроля электрофизических параметров полупроводниковых пластин зондовыми зарядочувствительными методами обеспечивается в работе за счет реализации режима самокалибровки зонда Кельвина, при котором в качестве образца для калибровки используется поверхность самой контролируемой пластины. Измерения выполняются в сканирующем ...
      2014-12-17

    • Структура планарной поверхности кремниевых пластин до и после быстрой термообработки 

      Пилипенко, В. А.; Сергейчик, А. А.; Шестовский, Д. В.; Солодуха, В. А. (БНТУ, 2024)
      На сегодня важной задачей при создании современных изделий микроэлектроники является устранение на поверхности пластин механически нарушенного слоя. Быстрая термообработка оптическими импульсами секундной длительности является одним из методов устранения нарушений кристаллической решётки, возникающих после ионного легирования. Однако, остался открытым вопрос восстановления ...
      2024-07-16

    • Характеризация электрофизических свойств границы раздела кремний-двуокись кремния с использованием методов зондовой электрометрии 

      Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Филипеня, В. А.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Пантелеев, К. В.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2017)
      Анализ микронеоднородностей в системе кремний-двуокись кремния становится наиболее актуальным в связи с переходом микроэлектронной промышленности к субмикронным проектным нормам и уменьшением толщины подзатворного диэлектрика. Целью исследования являлось развитие методов неразрушающего контроля полупроводниковых пластин на основе определения электрофизических свойств границы ...
      2017-12-15

    • Экспрессный контроль надежности подзатворного диэлектрика полупроводниковых приборов 

      Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Чигирь, Г. Г.; Филипеня, В. А.; Горушко, В. А. (БНТУ, 2018)
      Ключевым элементом, определяющим стабильность полупроводниковых приборов, является подзатворный диэлектрик. По мере уменьшения его толщины в процессе масштабирования растет совокупный объем факторов, определяющих его электрофизические свойства. Целью данной работы являлась разработка экспрессного метода контроля времени наработки на отказ подзатворного диэлектрика и исследование ...
      2019-01-02

    • Энергодисперсионный рентгеновский микроанализ – как метод исследования границы раздела алюминий-поликремний после воздействия длительного и быстрого термических отжигов 

      Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Шестовский, Д. В.; Жигулин, Д. В. (БНТУ, 2024)
      Энергодисперсионный рентгеновский микроанализ является одним из основных методов по определению элементного состава вещества. Обладая высокой локальностью и относительно малой глубиной проникновения электронного луча (< 1 мкм), данный метод нашёл широкое применение в области микроэлектроники, как основной метод анализа элементного состава вещества. Метод позволяет исследовать ...
      2024-07-16