Browsing Приборостроение by Author "Таратын, И. А."
Now showing items 21-30 of 30
-
Полупроводниковые сенсорные устройства на кремниевых подложках
Реутская, О. Г.; Плескачевский, Ю. М.; Таратын, И. А. (БНТУ, 2018)Реутская, О. Г. Полупроводниковые сенсорные устройства на кремниевых подложках / О. Г. Реутская, Ю. М. Плескачевский, И. А. Таратын // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2018. – С. 69-70.2019-04-16 -
Полупроводниковый газовый сенсор с нагревателем из монокристаллического кремния
Таратын, И. А.; Горох, Г. Г.; Лозовенко, А. А.; Кевра, Е. В. (БНТУ, 2022)Представлены результаты исследований полупроводникого газового сенсора с нагревателем кремниевого из монокристаллического кремния. Приведены вольтамперные и температурные зависимости кремнивого нагревателя. Максимальное значение химического отклика на воздушную смесь с содержанием 0,49 об% CH4 получено при мощности нагревателя 108,12–111,47 мВт.2022-12-28 -
Полупроводниковый газовый сенсор с нагревателем из оксидов металлов
Таратын, И. А.; Козуля, А. А.; Рысик, А. Н. (БНТУ, 2021)В данной работе рассматривается конструкция и характеристики газового сенсора, реализованные на кремниевой подложке, с использованием планарной технологии. При измерениях выходного сигнала в качестве нагревательного элемента были использованы оксиды металлов III-й группы таблицы Менделеева, которые одновременно являлись газочувствительным слоем. Данная конструкция обеспечивает ...2022-02-02 -
Разработка двухсенсорной газовой микросистемы на подложках из пористого анодного оксида алюминия
Реутская, О. Г.; Таратын, И. А.; Хатько, В. В. (БНТУ, 2014)Целью работы является разработка конструкции и технологии изготовления, а также исследование 2-х сенсорной газовой микросистемы на диэлектрической подложке из пористого анодного оксида алюминия.2015-03-24 -
Разработка новых конструкций и технологий для датчиков нового поколения
Кернасовский, Ю. М.; Моспанов, А. Н.; Таратын, И. А. (БНТУ, 2022)Рассмотренны ключевые задачи и приоритеты научных и прикладных исследований по направлению разработки технологий для датчиков нового поколения.2022-12-28 -
Структура и морфология газочувствительной композиции WO3–In2O3
Гайдук, Ю. С.; Реутская, О. Г.; Савицкий, А. А.; Таратын, И. А. (БНТУ, 2019)Структура и морфология газочувствительной композиции WO3–In2O3 / Ю. С. Гайдук [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 275-277.2020-01-03 -
Фотопроводимость низкоэнергопотребляющих сенсоров с газочувствительными слоями In2O3 – SnO2
Реутская, О. Г.; Таратын, И. А. (БНТУ, 2020)Реутская, О. Г. Фотопроводимость низкоэнергопотребляющих сенсоров с газочувствительными слоями In2O3 – SnO2 / О. Г. Реутская, И. А. Таратын // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 292-294.2021-02-09 -
Широкодиапазонные MEMS датчики теплового потока
Таратын, И. А.; Кернасовский, Ю. М.; Филатов, С. А. (БНТУ, 2021)Предложены новые решения позволяющие увеличить чувствительность и оптимизировать спектральный диапазон термоэлектрических многоэлементных МЭМС датчиков оптического излучения.2022-02-02 -
Электротермические исследования массивов нанопроводов антимонида индия в матрицах анодного оксида алюминия
Горох, Г. Г.; Федосенко, В. С.; Таратын, И. А. (БНТУ, 2023)Представлены результаты исследований электрофизических и термоэлектрических свойств массивов нанопроводов антимонида индия, сформированных методом электрохимического осаждения из водных растворов в пористых матрицах анодного оксида алюминия. Полученные результаты показали реальную эффективность и перспективность использования массивов нанопроводов при разработке в термо- электрических ...2023-12-21 -
Эллиптический емкостной микродатчик давления
Николаева, Т. А.; Таратын, И. А.; Чижик, С. А. (БНТУ, 2021)Емкостной датчик давления состоит из подвижной мембраны, которая вызывает изменение емкости для приложенного давления. Для достижения высокой чувствительности используется тонкая мембрана большой площади с небольшим разделительным зазором между мембраной и металлическим контактом. Это приводит к нелинейности, уменьшает динамический диапазон измерений и увеличивает размер датчика. ...2022-02-02