Геттерирование кислорода на захороненный дефектный слой, созданный имплантацией водорода
Bibliographic entry
Геттерирование кислорода на захороненный дефектный слой, созданный имплантацией водорода / А. В. Францкевич [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2004. – № 3. – С. 52-56.
Abstract
Полученный способом Чохральского кремний, после имплантации водородом или гелием с энергией 100 кэВ и дозами (2-4) • 10^16 см^-2, обрабатывался в кислородной плазме постоянного разряда при температурах 250 или 500°С, а затем отжигался в вакууме в течение 4 ч при температурах 250 или 500°С. Методом масс-спектрометрии вторичных ионов обнаружено накопление кислорода на глубине проективного пробега Rp имплантированного водорода. Методом растровой электронной микроскопии в режиме поверхностного электронно-индуцированного потенциала, наведенного электронным лучом, обнаружена электрическая активность крупномасштабных дефектов, располагающихся вблизи Rp.