| dc.contributor.author | Францкевич, А. В. | ru |
| dc.contributor.author | Францкевич, Н. В. | ru |
| dc.contributor.author | Журавкевич, Е. В. | ru |
| dc.contributor.author | Федотов, А. К. | ru |
| dc.contributor.author | Мазаник, А. В. | ru |
| dc.contributor.author | Рау, Э. И. | ru |
| dc.contributor.author | Сеннов, Р. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Москва | ru |
| dc.date.accessioned | 2016-12-16T14:44:11Z | |
| dc.date.available | 2016-12-16T14:44:11Z | |
| dc.date.issued | 2004 | |
| dc.identifier.citation | Геттерирование кислорода на захороненный дефектный слой, созданный имплантацией водорода / А. В. Францкевич [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2004. – № 3. – С. 52-56. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/26628 | |
| dc.description.abstract | Полученный способом Чохральского кремний, после имплантации водородом или гелием с энергией 100 кэВ и дозами (2-4) • 10^16 см^-2, обрабатывался в кислородной плазме постоянного разряда при температурах 250 или 500°С, а затем отжигался в вакууме в течение 4 ч при температурах 250 или 500°С. Методом масс-спектрометрии вторичных ионов обнаружено накопление кислорода на глубине проективного пробега Rp имплантированного водорода. Методом растровой электронной микроскопии в режиме поверхностного электронно-индуцированного потенциала, наведенного электронным лучом, обнаружена электрическая активность крупномасштабных дефектов, располагающихся вблизи Rp. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Наука | ru |
| dc.title | Геттерирование кислорода на захороненный дефектный слой, созданный имплантацией водорода | ru |
| dc.type | Article | ru |
