Now showing items 1-3 of 3

    • Акустический отклик при воздействии наносекундных лазерных импульсов на тонкоплeночную гетеросистему In/CdTe 

      Власенко, А. И.; Велещук, В. П.; Гнатюк, В.А.; Левицкий, С. Н.; Власенко, З. К.; Ивлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И. (Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН, 2015)
      Фототермоакустическим методом проведена диагностика термобародинамических процессов, происходящих при наносекундном лазерном облучении (7 ns, lambda=532 nm) в естественных условиях (на воздухе) и в жидкой среде (вода), тонкопленочной системы металл In(400 nm)-полупроводник CdTe. На основе анализа полученных данных установлена зависимость давления, возникающего в области ...
      2018-06-21
    • Импульсная лазерная обработка и лазерно-индуцированная проводимость тонкопленочного германия 

      Ивлев, Г. Д.; Прокопьев, С. Л.; Гацкевич, Е. И.; Файзрахманов, И. А. (Издательский центр БГУ, 2017)
      Проводилась кристаллизация тонкопленочного германия под действием наносекундного излучения рубинового лазера. Исследована лазерно-индуцированная проводимость (ЛП) исходной пленки a-Ge:Sb, осажденной на сапфировую подложку методом ионно-лучевого распыления составной мишени, и поликристаллических слоев n+-Ge:Sb, сформированных лазерной обработкой a-Ge:Sb. Установлены зависимости ...
      2021-05-27
    • Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении 

      Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Малевич, В. Л. (Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН, 2015)
      Проведено численное моделирование процессов нагрева, плавления и кристаллизации твердого раствора SiGe на кремниевой подложке, происходящих под действием наносекундного лазерного излучения, и проанализирован механизм формирования ячеистых структур из-за сегрегационного разделения элементов на стадии отвердевания бинарного расплава. Результаты вычислений сопоставлены с известными ...
      2018-06-20