Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении
Bibliographic entry
Гацкевич Е. И. Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении / Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев, В. Л. Малевич // Письма в журнал технической физики. - 2015. - Т. 41, № 1. - С. 43-49.
Abstract
Проведено численное моделирование процессов нагрева, плавления и кристаллизации твердого раствора SiGe на кремниевой подложке, происходящих под действием наносекундного лазерного излучения, и проанализирован механизм формирования ячеистых структур из-за сегрегационного разделения элементов на стадии отвердевания бинарного расплава. Результаты вычислений сопоставлены с известными экспериментальными данными, характеризующими продолжительность лазерно-индуцированных фазовых превращений и средний размер ячеек (образующихся вследствие эффекта концентрационного переохлаждения) в зависимости от плотности энергии в лазерном импульсе.