Browsing by Author "Бринкевич, Д. И."
Now showing items 1-20 of 23
-
Аппаратное обеспечение контроля долгоживущих β-излучающих радионуклидов, образующихся при производстве радиофармпрепаратов на основе 18F
Бринкевич, Д. И.; Бумай, Ю. А.; Киевицкая, А. И.; Кийко, А. Н. (БНТУ, 2020)Аппаратное обеспечение контроля долгоживущих β-излучающих радионуклидов, образующихся при производстве радиофармпрепаратов на основе 18F / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 138-139.2021-02-09 -
Влияние вида основной легирующей примеси в кремнии на эффективность диффузии иттербия
Бринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2017)Влияние вида основной легирующей примеси в кремнии на эффективность диффузии иттербия / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - С. 236-238.2018-02-06 -
Влияние высокоэнергетичной ионной имплантации на изменение физико-механических свойств монокристаллов кремния
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2013)Влияние высокоэнергетичной ионной имплантации на изменение физико-механических свойств монокристаллов кремния / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 11-й Международной научно-технической конференции. Т. 3. - Минск : БНТУ, 2013. - С. 302.2015-11-11 -
Дефектообразование за пределами области внедрения ионов в полимерных пленках
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Лукашевич, М. С.; Оджаев, В. Б.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2014)Дефектообразование за пределами области внедрения ионов в полимерных пленках / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 12-й Международной научно-технической конференции. Т. 3. - Минск : БНТУ, 2014. - С. 457.2015-02-10 -
Зарядовые свойства границ раздела Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2018)Зарядовые свойства границ раздела Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4 / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 16-й Международной научно-технической конференции. – Минск : БНТУ, 2018. – Т. 3. – С. 410.2019-10-09 -
Индентирование облученных электронами пленок позитивных новолачных фоторезистов на кремнии
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Черный, В. В.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В. (БНТУ, 2022)Методом микроиндентирования исследованы прочностные и адгезионные свойства пленок диазохинон-новолачных позитивных фоторезистов S1813, SPR-700 и ФП9120 толщиной 1,2–1,8 мкм, облученных электронами c энергией 5 МэВ флюенсом 3·1016 см-2. Показано, что при облучении микротвердость фоторезистивных пленк возрастает, причем наиболее существенно в SPR-700.2022-12-28 -
Исследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрии
Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2016)Исследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрии / С. А. Вабищевич [и др.] // Приборостроение-2015 : материалы 8-й международной научно-технической конференции, Минск, 25-27 ноября 2015 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2015. – Т. 1. - С. 208-209.2016-10-05 -
Модификация оптических характеристик пленок полиимида при радиационно-термической обработке
Бумай, Ю. А.; Бринкевич, Д. И.; Долгих, Н. И.; Карпович, И. А.; Харченко, А. А.; Лукашевич, М. Г.; Оджаев, В. Б. (Беларуская навука, 2013)Модификация оптических характеристик пленок полиимида при радиационно-термической обработке / Ю. А. Бумай [и др.] // Весцi Нацыянальнай акадэмii навук Беларусi. Серыя фiзiка-матэматычных навук. - 2013. - № 1. - С. 92-96.2014-12-12 -
Модификация поверхности пленок полиэтилентерефталата при имплантации высокоэнергетичными ионами инертных газов с удельной энергией 1 МэВ/нуклон
Бринкевич, Д. И.; Лукашевич, М. Г.; Просолович, В. С.; Харченко, А. А.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2017)Модификация поверхности пленок полиэтилентерефталата при имплантации высокоэнергетичными ионами инертных газов с удельной энергией 1 МэВ/нуклон / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев ...2018-02-02 -
Облученные гамма-квантами пленки позитивного резиста ФП9120 на пластинах монокристаллического кремния
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Черный, В. В. (БНТУ, 2020)Бринкевич, Д. И. Облученные гамма-квантами пленки позитивного резиста ФП9120 на пластинах монокристаллического кремния / Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, В. В. Черный // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 169-171.2021-02-09 -
Одновременное измерение γ- и β-излучающих радионуклидов, образующихся в процессе производства радиофармпрепаратов
Бринкевич, Д. И.; Бумай, Ю. А.; Киевицкая, А. И.; Кийко, А. Н.; Крот, В. О. (БНТУ, 2022)Проведены одновременные измерения γ- и β-излучающих радионуклидовв регенерированной воде и картриджах сорбционной очистки, использовавшиеся в процессе производства радиофарм препаратов на основе 18F. Показана целесообразность использования гамма-бета-спектрометре МКС-АТ1315 для оперативного контроля содержания технологических радионуклидов при производстве радиофарм-препаратов.2022-12-28 -
Особенности имплантации ионов Р+, В+ И Sb+ в пленки позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Черный, В. В. (БНТУ, 2021)Методом ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы пленки диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8–5,0 мкм, имплантиро- ванные ионами B+, Р+ и Sb+ c энергией 60 кэВ в интервале доз 5*10^14–6*10^17 cм-2. Рассмотрены различные механизмы радиационно-индуцированной модификации структурных и оптических свойств пленок ДХН-резистов ...2022-02-02 -
Особенности лавинного пробоя диффузионных p-n - переходов на основе кремния
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2014)Особенности лавинного пробоя диффузионных p-n - переходов на основе кремния / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 12-й Международной научно-технической конференции. Т. 3. - Минск : БНТУ, 2014. - С. 458.2015-02-10 -
Отражательно-абсорбционная ИК Фурье-спектроскопия фоторезистивных плёнок на кремнии
Бринкевич, Д. И.; Гринюк, Е. В.; Просолович, В. С.; Бринкевич, С. Д.; Колос, В. В.; Зубова, О. А. (БНТУ, 2025)Проведён сравнительный анализ применения метода отражательно-абсорбционной спектроскопии с использованием заводской приставки диффузного отражения DRIFT ИК-спектрофотометра ALPHA и метода нарушенного полного внутреннего отражения для исследования оптических характеристик плёнок фоторезистов ФП9120, AZ nLOF 2020, 2070, 5510 и KMP E3502 толщиной 0,99– 6,0 мкм, сформированных на ...2025-03-27 -
Природа стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120
Бринкевич, Д. И.; Лапчук, Н. М.; Оджаев, В. Б.; Олешкевич, А. Н.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2019)Природа стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120 / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 196-198.2020-01-03 -
Прочностные свойства и морфология поверхности структур фоторезист ФП9120 – кремний
Бринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Черный, В. В. (БНТУ, 2014)Целью настоящей работы являлось исследование прочностных свойств пленок фоторезиста марки ФП9120 различной толщины, нанесенных на пластины кремния различных марок.2015-03-23 -
Прочностные свойства пленок диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120, имплантированных ионами серебра
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Черный, В. В.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В. (БНТУ, 2023)Методом микроиндентировния исследованы пленки позитивного диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, имплантированные ионами Ag+ c энергией 30 кэВ в интервале доз 2,5 1016–1,0 1017 cм–2 на имплантаторе ИЛУ-3. Сформированный при ионной имплантации Ag+ карбонизированный слой подавляет эффект восстановления отпечатка при индентировании. После длительного хранения ...2023-12-21 -
Прочностные свойства пленок фоторезиста AZ nLOF 5510
Абрамов, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Черный, В. В.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В. (Интегралполиграф, 2024)Методом индентирования исследованы пленки негативного фоторезиста AZ nLOF 5510 толщиной 0,99 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Пленки AZ nLOF 5510 ведут себя как упругопластичные материалы, в которых присутствуют растягивающие упругие напряжения. После дополнительной сушки и ионного травления поведение пленок AZ nLOF 5510 при индентировании ...2025-02-05 -
Радионуклиды в сменных деталях коммерческих циклотронов
Бринкевич, Д. И.; Бумай, Ю. А.; Киевицкая, А. И.; Кийко, А. Н. (БНТУ, 2021)Исследовано накопление радионуклидов (РН) во входном окне водной мишени и стриппере «медицинского» 18-МэВ циклотрона Cyclone 18/9 HC для минимизации дозовых нагрузок персонала и определения условий хранения РАО. Доминирующими РН являются 57Ni, 56Co, 57Co, 58Co, 54Mn и 51Cr с периодом полураспада от 1 до 312 суток. Наибольшую активность (до 6 мЗв) имела Havar фольга входного окна мишени.2022-02-02 -
Релаксация упругих напряжений у поверхности позитивного фоторезиста при высокоэнергетичном воздействии
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Оджаев, В. Б.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2015)Релаксация упругих напряжений у поверхности позитивного фоторезиста при высокоэнергетичном воздействии / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 3. - С. 471-472.2016-05-04