Индентирование облученных электронами пленок позитивных новолачных фоторезистов на кремнии
Another Title
Indentation of electron irradiated positive novolac photoresists films on silicon
Bibliographic entry
Индентирование облученных электронами пленок позитивных новолачных фоторезистов на кремнии = Indentation of electron irradiated positive novolac photoresists films on silicon / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 144-145.
Abstract
Методом микроиндентирования исследованы прочностные и адгезионные свойства пленок диазохинон-новолачных позитивных фоторезистов S1813, SPR-700 и ФП9120 толщиной 1,2–1,8 мкм, облученных электронами c энергией 5 МэВ флюенсом 3·1016 см-2. Показано, что при облучении микротвердость фоторезистивных пленк возрастает, причем наиболее существенно в SPR-700.
Abstract in another language
The strength and adhesive properties of films of diazoquinone-novolac positive photoresists S1813, SPR-700 and FP9120 with a thickness of 1.2–1.8 microns irradiated with electrons with an energy of 5 MeV with a fluence of 3ꞏ1016 cm-2 were studied by microindentation. It is shown that under irradiation, the microhardness of photoresistive films increases, and most significantly in SPR-700.