Индентирование облученных электронами пленок позитивных новолачных фоторезистов на кремнии
Loading...
Files
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Indentation of electron irradiated positive novolac photoresists films on silicon
Abstract
Методом микроиндентирования исследованы прочностные и адгезионные свойства пленок диазохинон-новолачных позитивных фоторезистов S1813, SPR-700 и ФП9120 толщиной 1,2–1,8 мкм, облученных электронами c энергией 5 МэВ флюенсом 3·1016 см-2. Показано, что при облучении микротвердость фоторезистивных пленк возрастает, причем наиболее существенно в SPR-700.
item.page.description-other
The strength and adhesive properties of films of diazoquinone-novolac positive photoresists S1813, SPR-700 and FP9120 with a thickness of 1.2–1.8 microns irradiated with electrons with an energy of 5 MeV with a fluence of 3ꞏ1016 cm-2 were studied by microindentation. It is shown that under irradiation, the microhardness of photoresistive films increases, and most significantly in SPR-700.
Description
Citation
Индентирование облученных электронами пленок позитивных новолачных фоторезистов на кремнии = Indentation of electron irradiated positive novolac photoresists films on silicon / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 144-145.