Browsing by Author "Сычик, В. А."
Now showing items 81-100 of 137
-
Термоэлектрический холодильник
Сычик, В. А.; Сычик, А. В.; Шамкалович, В. И.; Шумило, В. С. (2005)Термоэлектрический холодильник : пат. 6828 Респ. Беларусь : МПК7 H01L35/28 / В. А. Сычик [и др.] ; заявитель Белорусский национальный технический университет ; дата публ.: 2005.03.30.2019-09-02 -
Термоэлектрический холодильник
Сычик, В. А.; Уласюк, Н. Н.; Шумило, В. С. (БНТУ, 2017)Сычик, В. А. Термоэлектрический холодильник / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк, В. С. Шумило // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 15-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2017. - Т. 3. - С. 329.2018-06-21 -
Термоэлектрический холодильный элемент
Сычик, В. А.; Шумило, В. С.; Уласюк, Н. Н. (БНТУ, 2023)Термоэлектрический холодильный элемент содержит p- и n-полупроводниковые области с омическими контактами, n-p гетероперехода, толщина контактирующей с гетеропереходом n-области составляет (0,5–0,8)L, толщина контактирующей с гетеропереходом p-области составляет (2–5)L, где L – диффузионная длина пробега электронов, причем n-полупроводник является узко зонным, а p-полупроводник – ...2023-12-21 -
Технология P-N полупроводниковых структур жидкофазной эпитаксией
Легкоступов, С. А.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)Легкоступов, С. А. Технология P-N полупроводниковых структур жидкофазной эпитаксией / С. А. Легкоступов, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 167.2022-09-22 -
Технология многоуровневой коммутации в производстве интегральных схем
Маркевич, Н. А.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2019)Маркевич, Н. А. Технология многоуровневой коммутации в производстве интегральных схем / Н. А. Маркевич, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 12-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 17−19 апреля 2019 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : ...2019-08-23 -
Технология многоуровневой коммутации в производстве интегральных схем
Стриго, П. Р.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)Стриго, П. Р. Технология многоуровневой коммутации в производстве интегральных схем / П. Р. Стриго, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 182.2022-09-22 -
Технология полупроводниковых P-N структур молекулярно-лучевой эпитаксией
Беляева, О. Д.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)Беляева, О. Д. Технология полупроводниковых P-N структур молекулярно-лучевой эпитаксией / О. Д. Беляева, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 151.2022-09-22 -
Технология получения легированных слоев полупроводниковых структур термической диффузией
Беззубин, М. В.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)Беззубин, М. В. Технология получения легированных слоев полупроводниковых структур термической диффузией / М. В. Беззубин, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 150.2022-09-22 -
Технология получения рисунка ИС электронно-лучевой литографией
Жолудь, А. В.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)Жолудь, А. В. Технология получения рисунка ИС электронно-лучевой литографией / А. В. Жолудь, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 157.2022-09-22 -
Технология получения униполярной МДП-триодной структуры со встроенным каналом
Литвиновская, А. К.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)Литвиновская, А. К. Технология получения униполярной МДП-триодной структуры со встроенным каналом / А. К. Литвиновская, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 168.2022-09-22 -
Технология сборки интегральных схем
Сычик, В. А. (БНТУ, 2014)В предлагаемом конспекте лекций изложены базовые теоретические сведения по всем разделам дисциплины «Технология сборки полупроводниковых приборов и интегральных схем», включая подготовку кристаллов к сборочным операциям, пайку и сварку в полупроводниковом производстве, монтаж кристаллов и подложек, присоединение и разварку выводов, герметизацию полупроводниковых приборов и ...2015-03-09 -
Технология формирования плёнок SiO2 термическим окислением
Филиппов, А. А.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)Филиппов, А. А. Технология формирования плёнок SiO2 термическим окислением / А. А. Филиппов, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 188.2022-09-22 -
Технология химической обработки подложек для ИС
Сухоставский, А. В.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)Сухоставский, А. В. Технология химической обработки подложек для ИС / А. В. Сухоставский, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 185.2022-09-22 -
Технология эпитаксиальных плёнок GaAs
Шугалей, Ю. В.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)Шугалей, Ю. В. Технология эпитаксиальных плёнок GaAs / Ю. В. Шугалей, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 195.2022-09-22 -
Тонкопленочный полевой транзистор с изолированным затвором
Бабицкая, А. И.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2018)Бабицкая, А. И. Тонкопленочный полевой транзистор с изолированным затвором / А. И. Бабицкая, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 189.2018-08-30 -
Тонкопленочный униполярный транзистор с изолированным затвором
Молчан, Т. В.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2009)Молчан, Т. В. Тонкопленочный униполярный транзистор с изолированным затвором / Т. В. Молчан, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 192.2022-10-26 -
Туннельные диоды – элементы СВЧ-электронных схем
Сукасян, Л. Э.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2019)Сукасян, Л. Э. Туннельные диоды – элементы СВЧ-электронных схем / Л. Э. Сукасян, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 12-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 17−19 апреля 2019 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 219-220.2019-08-23 -
Униполярный транзистор с индуцированным каналом
Колос, О. В.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2009)Колос, О. В. Униполярный транзистор с индуцированным каналом / О. В. Колос, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 190.2022-10-26 -
Униполярный транзистор с плавающим затвором
Шевель, А. А.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2009)Шевель, А. А. Униполярный транзистор с плавающим затвором / А. А. Шевель, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 212.2022-10-26 -
Усилитель с регулируемым коэффициентом усиления
Сычик, В. А.; Воробьев, В. А.; Лавринович, П. А.; Луговцов, П. И.; Лукащик, Ю. Е. (1983)Усилитель с регулируемым коэффициентом усиления : а. с. 1020980 СССР : МПК3 H03G3/20 / В. А. Сычик [и др.] ; заявитель Белорусский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт ; дата публ.: 30.05.1983.2020-10-01