Now showing items 81-100 of 137

    • Термоэлектрический холодильник 

      Сычик, В. А.; Сычик, А. В.; Шамкалович, В. И.; Шумило, В. С. (2005)
      Термоэлектрический холодильник : пат. 6828 Респ. Беларусь : МПК7 H01L35/28 / В. А. Сычик [и др.] ; заявитель Белорусский национальный технический университет ; дата публ.: 2005.03.30.
      2019-09-02
    • Термоэлектрический холодильник 

      Сычик, В. А.; Уласюк, Н. Н.; Шумило, В. С. (БНТУ, 2017)
      Сычик, В. А. Термоэлектрический холодильник / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк, В. С. Шумило // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 15-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2017. - Т. 3. - С. 329.
      2018-06-21
    • Термоэлектрический холодильный элемент 

      Сычик, В. А.; Шумило, В. С.; Уласюк, Н. Н. (БНТУ, 2023)
      Термоэлектрический холодильный элемент содержит p- и n-полупроводниковые области с омическими контактами, n-p гетероперехода, толщина контактирующей с гетеропереходом n-области составляет (0,5–0,8)L, толщина контактирующей с гетеропереходом p-области составляет (2–5)L, где L – диффузионная длина пробега электронов, причем n-полупроводник является узко зонным, а p-полупроводник – ...
      2023-12-21
    • Технология P-N полупроводниковых структур жидкофазной эпитаксией 

      Легкоступов, С. А.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)
      Легкоступов, С. А. Технология P-N полупроводниковых структур жидкофазной эпитаксией / С. А. Легкоступов, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 167.
      2022-09-22
    • Технология многоуровневой коммутации в производстве интегральных схем 

      Маркевич, Н. А.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2019)
      Маркевич, Н. А. Технология многоуровневой коммутации в производстве интегральных схем / Н. А. Маркевич, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 12-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 17−19 апреля 2019 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : ...
      2019-08-23
    • Технология многоуровневой коммутации в производстве интегральных схем 

      Стриго, П. Р.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)
      Стриго, П. Р. Технология многоуровневой коммутации в производстве интегральных схем / П. Р. Стриго, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 182.
      2022-09-22
    • Технология полупроводниковых P-N структур молекулярно-лучевой эпитаксией 

      Беляева, О. Д.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)
      Беляева, О. Д. Технология полупроводниковых P-N структур молекулярно-лучевой эпитаксией / О. Д. Беляева, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 151.
      2022-09-22
    • Технология получения легированных слоев полупроводниковых структур термической диффузией 

      Беззубин, М. В.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)
      Беззубин, М. В. Технология получения легированных слоев полупроводниковых структур термической диффузией / М. В. Беззубин, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 150.
      2022-09-22
    • Технология получения рисунка ИС электронно-лучевой литографией 

      Жолудь, А. В.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)
      Жолудь, А. В. Технология получения рисунка ИС электронно-лучевой литографией / А. В. Жолудь, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 157.
      2022-09-22
    • Технология получения униполярной МДП-триодной структуры со встроенным каналом 

      Литвиновская, А. К.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)
      Литвиновская, А. К. Технология получения униполярной МДП-триодной структуры со встроенным каналом / А. К. Литвиновская, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 168.
      2022-09-22
    • Технология сборки интегральных схем 

      Сычик, В. А. (БНТУ, 2014)
      В предлагаемом конспекте лекций изложены базовые теоретические сведения по всем разделам дисциплины «Технология сборки полупроводниковых приборов и интегральных схем», включая подготовку кристаллов к сборочным операциям, пайку и сварку в полупроводниковом производстве, монтаж кристаллов и подложек, присоединение и разварку выводов, герметизацию полупроводниковых приборов и ...
      2015-03-09
    • Технология формирования плёнок SiO2 термическим окислением 

      Филиппов, А. А.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)
      Филиппов, А. А. Технология формирования плёнок SiO2 термическим окислением / А. А. Филиппов, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 188.
      2022-09-22
    • Технология химической обработки подложек для ИС 

      Сухоставский, А. В.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)
      Сухоставский, А. В. Технология химической обработки подложек для ИС / А. В. Сухоставский, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 185.
      2022-09-22
    • Технология эпитаксиальных плёнок GaAs 

      Шугалей, Ю. В.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2012)
      Шугалей, Ю. В. Технология эпитаксиальных плёнок GaAs / Ю. В. Шугалей, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 195.
      2022-09-22
    • Тонкопленочный полевой транзистор с изолированным затвором 

      Бабицкая, А. И.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2018)
      Бабицкая, А. И. Тонкопленочный полевой транзистор с изолированным затвором / А. И. Бабицкая, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 189.
      2018-08-30
    • Тонкопленочный униполярный транзистор с изолированным затвором 

      Молчан, Т. В.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2009)
      Молчан, Т. В. Тонкопленочный униполярный транзистор с изолированным затвором / Т. В. Молчан, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 192.
      2022-10-26
    • Туннельные диоды – элементы СВЧ-электронных схем 

      Сукасян, Л. Э.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2019)
      Сукасян, Л. Э. Туннельные диоды – элементы СВЧ-электронных схем / Л. Э. Сукасян, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 12-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 17−19 апреля 2019 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 219-220.
      2019-08-23
    • Униполярный транзистор с индуцированным каналом 

      Колос, О. В.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2009)
      Колос, О. В. Униполярный транзистор с индуцированным каналом / О. В. Колос, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 190.
      2022-10-26
    • Униполярный транзистор с плавающим затвором 

      Шевель, А. А.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2009)
      Шевель, А. А. Униполярный транзистор с плавающим затвором / А. А. Шевель, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 212.
      2022-10-26
    • Усилитель с регулируемым коэффициентом усиления 

      Сычик, В. А.; Воробьев, В. А.; Лавринович, П. А.; Луговцов, П. И.; Лукащик, Ю. Е. (1983)
      Усилитель с регулируемым коэффициентом усиления : а. с. 1020980 СССР : МПК3 H03G3/20 / В. А. Сычик [и др.] ; заявитель Белорусский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт ; дата публ.: 30.05.1983.
      2020-10-01