Термоэлектрический холодильный элемент
Loading...
Files
Authors
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Thermoelectric refrigeration element
Abstract
Термоэлектрический холодильный элемент содержит p- и n-полупроводниковые области с омическими контактами, n-p гетероперехода, толщина контактирующей с гетеропереходом n-области составляет (0,5–0,8)L, толщина контактирующей с гетеропереходом p-области составляет (2–5)L, где L – диффузионная длина пробега электронов, причем n-полупроводник является узко зонным, а p-полупроводник – широко зонным.
item.page.description-other
The thermoelectric refrigeration element contains p- and n-semiconductor regions with ohmic contacts, an n-p heterojunction, the thickness of the n-region in contact with the heterojunction is (0.5–0.8)L, the thickness of the p-region in contact with the heterojunction is (2–5)L, where L is the diffusion travel length of electrons, and the n-semiconductor is narrow-gap, and the p-semiconductor is wide-gap.
Description
Citation
Сычик, В. А. Термоэлектрический холодильный элемент = Thermoelectric refrigeration element / В. А. Сычик, В. С. Шумило, Н. Н. Уласюк // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 83-84.