| dc.contributor.author | Сычик, В. А. | ru |
| dc.contributor.author | Шумило, В. С. | ru |
| dc.contributor.author | Уласюк, Н. Н. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2023-12-21T07:32:30Z | |
| dc.date.available | 2023-12-21T07:32:30Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Сычик, В. А. Термоэлектрический холодильный элемент = Thermoelectric refrigeration element / В. А. Сычик, В. С. Шумило, Н. Н. Уласюк // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 83-84. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/138641 | |
| dc.description.abstract | Термоэлектрический холодильный элемент содержит p- и n-полупроводниковые области с омическими контактами, n-p гетероперехода, толщина контактирующей с гетеропереходом n-области составляет (0,5–0,8)L, толщина контактирующей с гетеропереходом p-области составляет (2–5)L, где L – диффузионная длина пробега электронов, причем n-полупроводник является узко зонным, а p-полупроводник – широко зонным. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Термоэлектрический холодильный элемент | ru |
| dc.title.alternative | Thermoelectric refrigeration element | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | The thermoelectric refrigeration element contains p- and n-semiconductor regions with ohmic contacts, an n-p heterojunction, the thickness of the n-region in contact with the heterojunction is (0.5–0.8)L, the thickness of the p-region in contact with the heterojunction is (2–5)L, where L is the diffusion travel length of electrons, and the n-semiconductor is narrow-gap, and the p-semiconductor is wide-gap. | ru |
