| dc.contributor.author | Воробей, Р. И. | ru |
| dc.contributor.author | Гусев, О. К. | ru |
| dc.contributor.author | Свистун, А. И. | ru |
| dc.contributor.author | Тявловский, К. Л. | ru |
| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
| dc.coverage.spatial | Могилев | ru |
| dc.date.accessioned | 2021-06-28T14:27:14Z | |
| dc.date.available | 2021-06-28T14:27:14Z | |
| dc.date.issued | 2017 | ru |
| dc.identifier.citation | Измерительный преобразователь систем оптической диагностики с фотоприемником на основе полупроводника с собственной проводимостью = The measuring converter of systems of optical diagnostics with the photodetector on the basis of the intrinsic semiconductor / Р. И. Воробей [и др.] // Современные методы и приборы контроля качества и диагностики состояния объектов : сборник статей 6-й Международной научно-технической конференции, Могилев, 19-20 сентября 2017 г. / Белорусско-Российский университет ; отв. ред. И. С. Сазонов. – Могилев : Белорусско-Российский университет, 2017. – С. 424-430. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/95678 | en |
| dc.description.abstract | Рассмотрены вопросы построения измерительных преобразователей систем дистанционной оптической диагностики. Использование одноэлементных многофункциональных фотоприемников на основе собственных полупроводников с глубокими многозарядными примесями позволяет получить ряд новых количественных и качественных характеристик. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Белорусско-Российский университет | ru |
| dc.title | Измерительный преобразователь систем оптической диагностики с фотоприемником на основе полупроводника с собственной проводимостью | ru |
| dc.title.alternative | The measuring converter of systems of optical diagnostics with the photodetector on the basis of the intrinsic semiconductor | en |
| dc.type | Working Paper | en |
| local.description.annotation | Questions of construction of measuring transducers of systems of remote optical diagnostics are considered. Use of single-element multipurpose photodetectors on the basis of intrinsic semiconductors with penetrating multiply charged impurities allows to receive a series of new quantitative and qualitative characteristics. | en |
