Browsing Приборы и методы измерений by Author "Свистун, А. И."
Now showing items 1-11 of 11
-
Алгоритм определения метрологических характеристик широкодиапазонных фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей с многозарядными примесями
Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2011)Исследованы метрологические особенности фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей (ФЭПП) на основе полупроводников с многозарядными примесями в широком диапазоне плотностей мощности оптического излучения, обусловленные процессами нелинейной рекомбинации. Предложен алгоритм процедуры определения метрологических характеристик таких ФЭПП не только при малых плотностях ...2012-03-27 -
Диагностика локальных изменений пластической деформации по работе выхода электрона
Пантелеев, К. В.; Свистун, А. И.; Жарин, А. Л. (БНТУ, 2015)Рассмотрены вопросы измерения работы выхода электрона по контактной разности потенциалов и экспериментально обоснована возможность применения этих методов для оценки напряженно-деформированного состояния поверхностных слоев металлов и сплавов. Разработаны методики и приведены примеры их применения для исследования локализации пластической деформации с применением зонда Кельвина. ...2015-07-24 -
Зарядочувствительный метод исследования деформационных процессов
Пантелеев, К. В.; Микитевич, В. А.; Свистун, А. И.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л. (БНТУ, 2022)В качестве информационного параметра об изменении состояния материала под действием механических напряжений может быть использован поверхностный электростатический потенциал (заряд). Целью работы являлась отработка методик исследования деформационных процессов в металлических и полимерных материалах с использованием зарядочувствительного метода. Проведены экспериментальные ...2022-12-29 -
Измерение электрического потенциала поверхности с использованием статического зонда
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Микитевич, В. А.; Пантелеев, К. В.; Самарина, А. В.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2023)Методы контроля изменений электрического потенциала поверхности широко используются в операциях неразрушающего контроля прецизионных поверхностей, например, в электронной промышленности в процессе изготовления полупроводниковых приборов. Целью работы является расширение области применения методик бесконтактного контроля и измерения электрического потенциала поверхности на основе ...2023-08-15 -
Измерительные преобразователи систем оптической диагностики с многофункциональными одноэлементными фотоприемниками
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2018)Современные измерительные преобразователи систем оптической диагностики должны автоматически оценивать параметры оптического сигнала и переключаться между различными диапазонами энергетической и спектральной характеристиками чувствительности. Это требует применения нескольких фотоприемников, сложных оптических схем и сложных алгоритмов обработки измерительных сигналов. Целью ...2018-09-18 -
Интеллектуальный сенсор для измерительных систем, работающих по схеме синусоидальное возбуждение – отклик
Микитевич, В. А.; Свистун, А. И.; Самарина, А. В.; Пантелеев, К. В.; Жарин, А. Л. (БНТУ, 2023)Измерительные приборы и системы, содержащие датчики, требующие синусоидальное возбуждающее воздействие, широко используются в информационно-измерительной технике как в производственных условиях, так и в исследовательской практике. В качестве примеров можно привести различные типы металлоискателей, вихретоковые дефектоскопы, анализаторы жидких сред, электрометры с динамическим ...2023-04-13 -
Методы измерений работы выхода электрона для контроля состояния поверхностей в процессе трения
Пантелеев, К. В.; Свистун, А. И.; Жарин, А. Л. (БНТУ, 2014)Рассмотрены вопросы измерения работы выхода электрона по контактной разности потенциалов; экспериментально обоснована возможность их применения для оценки и контроля состояния поверхности трения. Разработаны методики и приведены примеры их применения для определения работы выхода электрона при трибологических исследований с применением зонда Кельвина. Показано, что исследование ...2014-12-17 -
Многофункциональный измерительный преобразователь параметров жидких технологических сред
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Кузьминский, Ю. Г.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Шилько, С. В. (БНТУ, 2012)Для разработки многофункционального измерительного преобразователя концентрации и типа раствора в технологическом трубопроводе использована методология измерений параметров объектов в неопределенных состояниях. Показано, что режимы измерений концентрации и типа раствора могут быть реализованы в одном одноэлементном кондуктометрическом преобразователе при условии адаптивного ...2013-02-13 -
Универсальный цифровой зондовый электрометр для контроля полупроводниковых пластин
Жарин, А. Л.; Микитевич, В. А.; Свистун, А. И.; Пантелеев, К. В. (БНТУ, 2023)Для исследования и контроля полупроводниковых пластин широко используются бесконтактные электрические методы, основанные на измерении потенциала поверхности (CPD) в сочетании с освещением и/или осаждением зарядов на образец с помощью коронного разряда, а также на измерении поверхностной фото-ЭДС (SPV). По фото-ЭДС возможно определение времени жизни неосновных носителей заряда, ...2023-10-17 -
Характеризация электрофизических свойств границы раздела кремний-двуокись кремния с использованием методов зондовой электрометрии
Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Филипеня, В. А.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Пантелеев, К. В.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2017)Анализ микронеоднородностей в системе кремний-двуокись кремния становится наиболее актуальным в связи с переходом микроэлектронной промышленности к субмикронным проектным нормам и уменьшением толщины подзатворного диэлектрика. Целью исследования являлось развитие методов неразрушающего контроля полупроводниковых пластин на основе определения электрофизических свойств границы ...2017-12-15 -
Цифровой измеритель контактной разности потенциалов
Пантелеев, К. В.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Жарин, А. Л. (БНТУ, 2016)В настоящее время принципы построения аналоговых измерителей контактной разности потенциалов достаточно хорошо отработаны. Однако остаются и некоторые недостатки. Из-за влияния ряда паразитных факторов, аналоговые измерители имеют область неопределенности и значительную погрешность. Для достижения высокой точности требуется интеграция сигнала с постоянной времени не менее нескольких ...2016-09-11