Browsing Сериальные издания by Author "Петлицкий, А. Н."

Now showing items 1-4 of 4

    • Анализ качества подзатворного диэлектрика МОП-структур по вольт-фарадным характеристикам 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шведов, С. В.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2015)
      Исследованы МОП-транзисторы методом вольт-фарадных характеристик, изготов ленных в разное время, но по аналогичным технологическим маршрутам и при использовании идентичных технологических материалов. Установлено, что измерения вольт-фарадных характеристик МОП-структур позволяют проводить диагностику качества подзатворного диэлектрика. Вид и форма измеренных характеристик ...
      2015-07-24

    • Контроль дефектов структуры кремний-диэлектрик на основе анализа пространственного распределения потенциала по поверхности полупроводниковых пластин 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Турцевич, А. С.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2013)
      Рассмотрено применение метода Кельвина–Зисмана (контактной разности потенциалов) для неразрушающего контроля и выявления дефектов структур кремний-диэлектрик. Метод использовался для визуализации распределения электрического потенциала поверхности и изгиба энергетических зон по поверхности термически окисленной кремниевой пластины, легированной бором. Полученная картина распределения ...
      2014-06-02

    • Метод и установка контроля плоскостности кремниевых пластин 

      Пилипенко, В. А.; Горушко, В. А.; Понарядов, В. В.; Шведов, С. В.; Петлицкий, А. Н. (БНТУ, 2011)
      Предложен метод и разработана установка лазерного контроля стрелы прогиба и профиля изгиба полупроводниковых пластин. Метод основан на регистрации отклонения отраженного лазерного луча от положения, соответствующего отражению от идеально плоской поверхности. Установлено, что по результатам определения угла наклона касательной в любой точке поверхности, определяемой путем ...
      2012-03-26

    • Режим самокалибровки зонда Кельвина для контроля электрофизических параметров полупроводниковых пластин 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Турцевич, А. С.; Тявловский, А. К. (БНТУ, 2014)
      Повышение воспроизводимости и достоверности результатов контроля электрофизических параметров полупроводниковых пластин зондовыми зарядочувствительными методами обеспечивается в работе за счет реализации режима самокалибровки зонда Кельвина, при котором в качестве образца для калибровки используется поверхность самой контролируемой пластины. Измерения выполняются в сканирующем ...
      2014-12-17