Show simple item record

dc.contributor.authorОджаев, В. Б.ru
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.ru
dc.contributor.authorПросолович, В. С.ru
dc.contributor.authorТурцевич, А. С.ru
dc.contributor.authorШведов, С. В.ru
dc.contributor.authorФилипеня, В. А.ru
dc.contributor.authorЧерный, В. В.ru
dc.contributor.authorЯвид, В. Ю.ru
dc.contributor.authorЯнковский, Ю. Н.ru
dc.contributor.authorДубровский, В. А.ru
dc.coverage.spatialМинскru
dc.date.accessioned2019-02-04T11:21:34Z
dc.date.available2019-02-04T11:21:34Z
dc.date.issued2014
dc.identifier.citationВлияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора = Influence of technological inpurities on electrical parameters of MOS transistor / А. Н. Петлицкий [и др.] // Весцi Нацыянальнай акадэмii навук Беларусi. Серыя фiзiка-тэхнiчных навук = Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук. – 2014. – № 4. – С. 14-17.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/49430
dc.description.abstractИсследованы ВАХ МОП-транзисторов, созданных по эпитаксиально-планарной технологии в различное время с использованием идентичных технологических материалов по аналогичным технологическим маршрутам. Установлено, что электрофизические характеристики МОП-транзисторов существенным образом зависят от качества подзатворного диэлектрика. Наличие дополнительного встроенного заряда в диэлектрике, а также быстрых поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO2 приводят как к увеличению порогового напряжения, так и к снижению тока и напряжения насыщения, крутизны характеристики МОП- транзистора в линейной области и в области насыщения, проводимости структуры в линейной области. Возрастают также токи утечки затвора. Показано, что причиной ухудшения электрофизических параметров МОП-транзисторов является загрязнение материала технологическими примесями (Fe, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Cu, Zn и др.) во время производственного процесса. Источниками загрязнений могут служить как детали и узлы технологических установок, так и используемые материалы и реактивы.ru
dc.language.isoruru
dc.subjectМОП-транзисторыru
dc.titleВлияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистораru
dc.title.alternativeInfluence of technological inpurities on electrical parameters of MOS transistoren
dc.typeArticleru
local.description.annotationIt is shown that the quality of gate dielectric has a determinative impact on electrical physical parameters of MOS transistors. Contamination of material by technological impurities during the manufacturing process is the reason for the deterioration of electrical physical parameters of MOS transistors. Sources of contamination can be components of technological equipments, as well as the materials and reagents.en


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record