Browsing Приборостроение by Author "Черный, В. В."

Now showing items 1-19 of 19

    • Анализ вольтамперных характеристик диодов-генераторов широкополосного шума 

      Буслюк, В. В.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А. (БНТУ, 2016)
      Анализ вольтамперных характеристик диодов-генераторов широкополосного шума / В. В. Буслюк [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 280-281.
      2017-03-27

    • Анализ температурной зависимости коэффициента усиления биполярного n-p-n транзистора 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2020)
      Анализ температурной зависимости коэффициента усиления биполярного n-p-n транзистора / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 323-324.
      2021-02-09

    • Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления 

      Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2019)
      Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 347-348.
      2020-01-03

    • Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов 

      Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2020)
      Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов / Н. И. Горбачук [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 325-326.
      2021-02-09

    • Влияние вида основной легирующей примеси в кремнии на эффективность диффузии иттербия 

      Бринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2017)
      Влияние вида основной легирующей примеси в кремнии на эффективность диффузии иттербия / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - С. 236-238.
      2018-02-06

    • Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов 

      Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2019)
      Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 345-346.
      2020-01-03

    • Влияние облучения быстрыми электронами на параметры диодов генераторов шума 

      Буслюк, В. В.; Дереченник, С. С.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Ластовский, С. Б.; Нерода, И. Ю.; Федосюк, Д. Н.; Черный, В. В.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2023)
      Исследованы изменения электрофизических параметров кремниевых диодов-генераторов шума ND103L, при облучении быстрыми электронами с энергией 5 МэВ дозами 3·1013–1·1015 cм–2. Установлено, что величины обратных токов при всех значениях обратного напряжения существенно возрастают в процессе облучения. Эффективное напряжения шума и спектральная плотность напряжения шума в процессе ...
      2023-12-21

    • Вольт-амперные характеристики генераторных диодов для создания широкополосного шума 

      Буслюк, В. В.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Русакевич, Д. А.; Черный, В. В. (БНТУ, 2014)
      Вольт-амперные характеристики генераторных диодов для создания широкополосного шума / В. В. Буслюк [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 268-269.
      2015-03-23

    • Индентирование облученных электронами пленок позитивных новолачных фоторезистов на кремнии 

      Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Черный, В. В.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В. (БНТУ, 2022)
      Методом микроиндентирования исследованы прочностные и адгезионные свойства пленок диазохинон-новолачных позитивных фоторезистов S1813, SPR-700 и ФП9120 толщиной 1,2–1,8 мкм, облученных электронами c энергией 5 МэВ флюенсом 3·1016 см-2. Показано, что при облучении микротвердость фоторезистивных пленк возрастает, причем наиболее существенно в SPR-700.
      2022-12-28

    • Исследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрии 

      Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2016)
      Исследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрии / С. А. Вабищевич [и др.] // Приборостроение-2015 : материалы 8-й международной научно-технической конференции, Минск, 25-27 ноября 2015 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2015. – Т. 1. - С. 208-209.
      2016-10-05

    • Исследование физических свойств полупроводниковых тонких пленок PbSnS 

      Иванов, В. А.; Черный, В. В.; Гременок, В. Ф. (БНТУ, 2016)
      Иванов, В. А. Исследование физических свойств полупроводниковых тонких пленок PbSnS / В. А. Иванов, В. В. Черный, В. Ф. Гременок // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 316-317.
      2017-03-27

    • Модификация поверхности пленок полиэтилентерефталата при имплантации высокоэнергетичными ионами инертных газов с удельной энергией 1 МэВ/нуклон 

      Бринкевич, Д. И.; Лукашевич, М. Г.; Просолович, В. С.; Харченко, А. А.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2017)
      Модификация поверхности пленок полиэтилентерефталата при имплантации высокоэнергетичными ионами инертных газов с удельной энергией 1 МэВ/нуклон / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев ...
      2018-02-02

    • Облученные гамма-квантами пленки позитивного резиста ФП9120 на пластинах монокристаллического кремния 

      Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Черный, В. В. (БНТУ, 2020)
      Бринкевич, Д. И. Облученные гамма-квантами пленки позитивного резиста ФП9120 на пластинах монокристаллического кремния / Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, В. В. Черный // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 169-171.
      2021-02-09

    • Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2021)
      Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики p-i-n-фотодиодов на основе кремния с вертикальной структурой и охранным кольцом. Установлено, что заметная зависимость величины барьерной емкости (на частоте 1 кГц) и размеров области обеднения от температуры наблюдается только при приложенных обратных напряжениях, не превышающих контактную разность потенциалов (Vb ≤ 1 ...
      2022-02-02

    • Особенности имплантации ионов Р+, В+ И Sb+ в пленки позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии 

      Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Черный, В. В. (БНТУ, 2021)
      Методом ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы пленки диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8–5,0 мкм, имплантиро- ванные ионами B+, Р+ и Sb+ c энергией 60 кэВ в интервале доз 5*10^14–6*10^17 cм-2. Рассмотрены различные механизмы радиационно-индуцированной модификации структурных и оптических свойств пленок ДХН-резистов ...
      2022-02-02

    • Природа стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120 

      Бринкевич, Д. И.; Лапчук, Н. М.; Оджаев, В. Б.; Олешкевич, А. Н.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2019)
      Природа стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120 / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 196-198.
      2020-01-03

    • Прочностные свойства и морфология поверхности структур фоторезист ФП9120 – кремний 

      Бринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Черный, В. В. (БНТУ, 2014)
      Целью настоящей работы являлось исследование прочностных свойств пленок фоторезиста марки ФП9120 различной толщины, нанесенных на пластины кремния различных марок.
      2015-03-23

    • Прочностные свойства пленок диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120, имплантированных ионами серебра 

      Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Черный, В. В.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В. (БНТУ, 2023)
      Методом микроиндентировния исследованы пленки позитивного диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, имплантированные ионами Ag+ c энергией 30 кэВ в интервале доз 2,5  1016–1,0  1017 cм–2 на имплантаторе ИЛУ-3. Сформированный при ионной имплантации Ag+ карбонизированный слой подавляет эффект восстановления отпечатка при индентировании. После длительного хранения ...
      2023-12-21

    • Электрофизический метод контроля параметров автомобильных масел 

      Карпович, И. А.; Лебедев, В. И.; Молчанов, А. Г.; Солодуха, В. А.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2018)
      Электрофизический метод контроля параметров автомобильных масел / И. А. Карпович [и др.] // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2018. – С. 199-201.
      2019-04-23