Browsing Приборостроение by Author "Сопряков, В. И."
Now showing items 1-8 of 8
-
Исследование и оптимизация динамических характеристик кремниевых импульсных диодов
Сопряков, В. И.; Шлеведа, Ю. В. (БНТУ, 2018)Сопряков, В. И. Исследование и оптимизация динамических характеристик кремниевых импульсных диодов / В. И. Сопряков, Ю. В. Шлеведа // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2018. – С. 88-89.2019-04-17 -
Метод контроля времени жизни неравновесных носителей заряда из измерений фототока полупроводниковых структур
Сопряков, В. И.; Полещук, П. А. (БНТУ, 2019)Сопряков, В. И. Метод контроля времени жизни неравновесных носителей заряда из измерений фототока полупроводниковых структур / В. И. Сопряков, П. А. Полещук // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 29-30.2020-01-03 -
Метод модуляционного дифференцирования вольт-амперных характеристик в диагностике качества полупроводниковых структур
Сопряков, В. И.; Кастевич, А. Е. (БНТУ, 2020)Сопряков, В. И. Метод модуляционного дифференцирования вольт-амперных характеристик в диагностике качества полупроводниковых структур / В. И. Сопряков, А. Е. Кастевич // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 35-36.2021-02-09 -
Спектроскопия нелинейностей вольтамперных характеристик в диагностике качества полупроводниковых элементов
Сопряков, В. И.; Полхутенко, С. А. (БНТУ, 2016)Сопряков, В. И. Спектроскопия нелинейностей вольтамперных характеристик в диагностике качества полупроводниковых элементов / В. И. Сопряков, С. А. Полхутенко // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 131-133.2017-03-13 -
Фотоемкостной метод контроля параметров примесей и дефектов в полупроводниковых структурах
Сопряков, В. И.; Головня, К. Ч. (БНТУ, 2021)Предложен фотоемкостной метод, позволяющий контролировать параметры ловушек неосновных и основных носителей заряда в полупроводниковых структурах с малым временем жизни (1–30 нс). Метод основан на перезарядке глубоких уровней импульсным фототоком и измерении кривых релаксации высокочастотной емкости.2022-02-02 -
Электрополевые зависимости параметров глубоких центров в кремнии
Сопряков, В. И.; Комлева, И. А. (БНТУ, 2014)В настоящей работе изучались радиационные дефекты в резких р+-n-переходах на базе кремния n-типа с концентрацией 5⋅10 15 - 2⋅10 16 см-3.2015-03-25 -
Электрополевые зависимости параметров глубоких центров в кремнии
Сопряков, В. И.; Рубин, Д. С. (БНТУ, 2022)В работе рассчитана зависимость поляризационного потенциала нейтрального центра от расстояния во внешнем электрическом поле. Изучены зависимости энергии активации и сечения захвата электронов А-центра в кремнии от напряженности электрического поля. Объяснены зависимости параметров глубоких уровней в кремнии от электрического поля на основе модели поляризационного потенциала. ...2022-12-28 -
Электрофлуктуационная дигностика материалов и приборов полупроводниковой электроники
Сопряков, В. И.; Чижонок, М. В. (БНТУ, 2017)Сопряков, В. И. Электрофлуктуационная дигностика материалов и приборов полупроводниковой электроники / В. И. Сопряков, М. В. Чижонок // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - С. 107-108.2018-02-02