Фотоемкостной метод контроля параметров примесей и дефектов в полупроводниковых структурах
Another Title
Photocapacitive method for monitoring the parameters of impurities and defects in semiconductor structures
Bibliographic entry
Сопряков, В. И. Фотоемкостной метод контроля параметров примесей и дефектов в полупроводниковых структурах = Photocapacitive method for monitoring the parameters of impurities and defects in semiconductor structures / В. И. Сопряков, К. Ч. Головня // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 129-130.
Abstract
Предложен фотоемкостной метод, позволяющий контролировать параметры ловушек неосновных и основных носителей заряда в полупроводниковых структурах с малым временем жизни (1–30 нс). Метод основан на перезарядке глубоких уровней импульсным фототоком и измерении кривых релаксации высокочастотной емкости.
Abstract in another language
A photocapacitive method is proposed that makes it possible to control the parameters of traps of minority and major charge carriers in semiconductor structures with a short lifetime (1–30 ns). The method is based on recharging deep levels by a pulsed photocurrent and measuring the relaxation curves of high-frequency capacitance.