Белорусский национальный технический университет
Repository of the Belarusian National Technical University
ISSN: 2310-7405
Repository of the Belarusian National Technical University
View Item 
  •   Repository BNTU
  • Материалы конференций и семинаров
  • Международные и республиканские конференции
  • Приборостроение
  • Приборостроение-2022
  • Материалы конференции по статьям
  • View Item
  •   Repository BNTU
  • Материалы конференций и семинаров
  • Международные и республиканские конференции
  • Приборостроение
  • Приборостроение-2022
  • Материалы конференции по статьям
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Электрополевые зависимости параметров глубоких центров в кремнии

Thumbnail
Authors
Сопряков, В. И.
Рубин, Д. С.
Date
2022
Publisher
БНТУ
Another Title
Dependencies of the parameters of deep centers in silicon on the electric field strength
Bibliographic entry
Сопряков, В. И. Электрополевые зависимости параметров глубоких центров в кремнии = Dependencies of the parameters of deep centers in silicon on the electric field strength / В. И. Сопряков, Д. С. Рубин // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 98-100.
Abstract
В работе рассчитана зависимость поляризационного потенциала нейтрального центра от расстояния во внешнем электрическом поле. Изучены зависимости энергии активации и сечения захвата электронов А-центра в кремнии от напряженности электрического поля. Объяснены зависимости параметров глубоких уровней в кремнии от электрического поля на основе модели поляризационного потенциала. Учитывалось понижение потенциального барьера центров, а также зависимость сечения захвата, как координаты максимума потенциала в электрическом поле.
Abstract in another language
The dependence of the polarization potential of the neutral center on the distance in the external electric field is calculated in this work. The dependencies of the activation energy and capture cross section of electrons of the A-center in silicon on the electric field strength have been explored. The dependencies of the parameters of deep levels in silicon on the electric field are explained on the basis of the polarization potential model. The decrease in the potential barrier of the centers was taken into account, as well as the dependence of the capture cross section, as the coordinate of the potential maximum in the electric field.
URI
https://rep.bntu.by/handle/data/124432
View/Open
98-100.pdf (549.0Kb)
Collections
  • Материалы конференции по статьям[234]
Show full item record
CORE Recommender

Belarusian National Technical University | Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
Яндекс.МетрикаIP Geolocation by DB-IP
Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
 

Browse

All of Repository BNTUCommunities & CollectionsAuthorsTitlesBy Issue DatePublisherBy Submit DateTypeThis CollectionAuthorsTitlesBy Issue DatePublisherBy Submit DateType

My Account

LoginRegister

Belarusian National Technical University | Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
Яндекс.МетрикаIP Geolocation by DB-IP
Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us