Browsing Приборостроение by Author "Ивлев, Г. Д."
Now showing items 1-6 of 6
-
Влияние режимов импульсного лазерного отжига на оптические свойства кремния, гипердопированного селеном, для фотодетекторов видимого и ик-диапазонов
Комаров, Ф. Ф.; Пархоменко, И. Н.; Мильчанин, О. В.; Моховиков, М. А.; Ивлев, Г. Д.; Власукова, Л. А.; Альжанова, А. Е.; Ван, Тин (БНТУ, 2022)Слои кремния, легированные селеном до концентраций (4–6)ꞏ1020 см–3, что на 4 порядка величины превышает предел равновесной растворимости этой примеси, получены ионной имплантацией с последующим импульсным лазерным отжигом (ИЛО) при плотностях энергии в импульсе W = 0,55; 0,8; 1,0; 1,5; 2,0 и 2,5 Дж/см2. Методом обратного резерфордовского рассеяния ионов гелия показано, что до ...2022-12-28 -
Диффузионные процессы в германий-кремниевых гетероструктурах при импульсных лазерных воздействиях
Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Гундина, М. А. (БНТУ, 2020)Гацкевич, Е. И. Диффузионные процессы в германий-кремниевых гетероструктурах при импульсных лазерных воздействиях / Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев, М. А. Гундина // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 433-435.2021-02-09 -
Лазерно-индуцированные теплофизические процессы в эпитаксиальных германий-кремниевых гетероструктурах
Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Малевич, В. Л. (БНТУ, 2021)Изучено перераспределении элементов по глубине в эпитаксиальных GeSi слоях при облучении наносекундными импульсами рубинового лазера. Проанализировано влияние сегрегации на формирование ячеистых структур в неравновесных условиях импульсного воздействия.2022-02-02 -
Моделирование лазерно-индуцированного нагрева тонкопленочного германия на кремниевых и кварцевых подложках
Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Гундина, М. А.; Князев, М. А. (БНТУ, 2017)Моделирование лазерно-индуцированного нагрева тонкопленочного германия на кремниевых и кварцевых подложках / Е. И. Гацкевич [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - С. 357-359.2018-02-09 -
Моделирование процессов плавления и отвердевания, инициируемых в эпитаксиальных слоях GeSi воздействием наноимпульсного лазерного излучения
Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Малевич, В. Л. (БНТУ, 2014)В данной работе приведены результаты численного моделирования процессов нагрева, плавления и кристаллизации при облучении наносекундными лазерными импульсами структур Si1-xGex, выращенных на Si подложке, и обсуждается механизм формирования в них ячеистой структуры, связанный с эффектом концентрационного переохлаждения.2015-03-23 -
Моделирование термостимулированных процессов в пленках TiAlN при наносекундном лазерном воздействии
Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Людчик, О. Р. (БНТУ, 2016)Моделирование термостимулированных процессов в пленках TiAlN при наносекундном лазерном воздействии / Е. И. Гацкевич [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 296-298.2017-03-27