Влияние режимов импульсного лазерного отжига на оптические свойства кремния, гипердопированного селеном, для фотодетекторов видимого и ик-диапазонов
Another Title
Effect of pulsed laser annealing on optical properties of selenium-hyperdoped silicon for visible and ir photodetectors
Bibliographic entry
Влияние режимов импульсного лазерного отжига на оптические свойства кремния, гипердопированного селеном, для фотодетекторов видимого и ик-диапазонов = Effect of pulsed laser annealing on optical properties of selenium-hyperdoped silicon for visible and ir photodetectors / Ф. Ф. Комаров [и др.] // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 298-299.
Abstract
Слои кремния, легированные селеном до концентраций (4–6)ꞏ1020 см–3, что на 4 порядка величины превышает предел равновесной растворимости этой примеси, получены ионной имплантацией с последующим импульсным лазерным отжигом (ИЛО) при плотностях энергии в импульсе W = 0,55; 0,8; 1,0; 1,5; 2,0 и 2,5 Дж/см2. Методом обратного резерфордовского рассеяния ионов гелия показано, что до 60–70 % внедренной примеси находится в позиции замещения в решетке кремния. Слои, гипердопированные селеном, проявляют существенное поглощение (36–40 %) в области длин волн 1100–2400 нм.
Abstract in another language
Layers of selenium-hyperdoped silicon with dopant concentration of up to (4–6)ꞏ1020 cm–3 that exceeds the limit of equilibrium solubility of this impurity by 4 orders of magnitude were obtained using ion implantation followed by pulsed laser annealing (PLA) at pulse energy densities of W = 0.55, 0.8, 1.0, 1.5, 2.0 and 2.5 J/cm2. Rutherford back scattering of helium ions demonstrated that up to 60–70 % of introduced impurity occupied silicon lattice sites. Selenium-hyperdoped layers exhibited substantial absorption (36–40 %) in the wavelength range of 1100–2400 nm.