Разработать физические принципы многофункциональных фотодетекторов на основе двухбарьерных полупроводниковых структур с глубокими центрами

Руководители отчета

Тявловский, А. К.

Дата издания

2010

Издательство

БНТУ

УДК

621.383.4

Другое заглавие

Отчет о НИР (заключительный) :08М-086

Библиографическое описаниe

Разработать физические принципы многофункциональных фотодетекторов на основе двухбарьерных полупроводниковых структур с глубокими центрами : отчет о НИР (заключительный) : 08М-086 / Белорусский национальный технический университет; рук. Тявловский А. К., исполн. Свистун А. И. [и др.]. – Минск, 2010. – 89с. – Библиогр.: С. 83-89 - № ГР 20081728

Аннотация

Объектом исследования являются двухбарьерные полупроводниковые структуры с глубокими центрами, используемые в качестве основы для построения многофункциональных фотоприемников. Целью работы является разработка физических принципов построения многофункциональных одноэлементных фотодетекторов на основе двухбарьерных полупроводниковых структур с глубокими центрами и разработка теоретических основ выполнения многопараметрических измерений с помощью данных фотодетекторов.