Show simple item record

dc.coverage.spatialМинскru
dc.date.accessioned2012-06-26T06:55:20Z
dc.date.available2012-06-26T06:55:20Z
dc.date.issued2010
dc.identifier.citationРазработать физические принципы многофункциональных фотодетекторов на основе двухбарьерных полупроводниковых структур с глубокими центрами : отчет о НИР (заключительный) : 08М-086 / Белорусский национальный технический университет; рук. Тявловский А. К., исполн. Свистун А. И. [и др.]. – Минск, 2010. – 89с. – Библиогр.: С. 83-89 - № ГР 20081728ru
dc.identifier.govdoc20081728
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/3209
dc.description.abstractОбъектом исследования являются двухбарьерные полупроводниковые структуры с глубокими центрами, используемые в качестве основы для построения многофункциональных фотоприемников. Целью работы является разработка физических принципов построения многофункциональных одноэлементных фотодетекторов на основе двухбарьерных полупроводниковых структур с глубокими центрами и разработка теоретических основ выполнения многопараметрических измерений с помощью данных фотодетекторов.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherБНТУru
dc.subjectФотодетекторru
dc.subjectДвухбарьерные полупроводниковые структурыru
dc.subjectГлубокие центрыru
dc.subjectОптическое излучениеru
dc.titleРазработать физические принципы многофункциональных фотодетекторов на основе двухбарьерных полупроводниковых структур с глубокими центрамиru
dc.title.alternativeОтчет о НИР (заключительный) :08М-086ru
dc.typeTechnical Reportru
dc.identifier.udc621.383.4ru
dc.contributor.supervisorТявловский, А. К.ru


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record