Динамика возбужденных состояний носителей заряда в квантовых точках полупроводниковых соединений AIVBVI в стеклах и коллоидных растворах

Abstract

Объектом исследования являются стекла и коллоидные растворы, содержащие наночастицы полупроводникового соединения сульфида свинца. Цель НИР – установление закономерностей процессов испускания и поглощения света квантовыми точками полупроводниковых соединений типа AIVBVI, находящихся в различных матрицах (стеклах и коллоидных растворах), а также установление влияния матричного окружения на процессы релаксации носителей заряда.