| dc.contributor.author | Волк, Ю. В. | |
| dc.contributor.author | Толстик, Н. А. | |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2012-06-26T05:36:56Z | |
| dc.date.available | 2012-06-26T05:36:56Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.identifier.citation | Динамика возбужденных состояний носителей заряда в квантовых точках полупроводниковых соединений AIVBVI в стеклах и коллоидных растворах : отчет о НИР (заключительный) : № ГР 20101041 / Белорусский национальный технический университет ; рук. М. С. Гапоненко ; исполн.: Ю. В. Волк, Н. А. Толстик. – Минск : [б. и.], 2010. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/3199 | |
| dc.description.abstract | Объектом исследования являются стекла и коллоидные растворы, содержащие наночастицы полупроводникового соединения сульфида свинца. Цель НИР – установление закономерностей процессов испускания и поглощения света квантовыми точками полупроводниковых соединений типа AIVBVI, находящихся в различных матрицах (стеклах и коллоидных растворах), а также установление влияния матричного окружения на процессы релаксации носителей заряда. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.title | Динамика возбужденных состояний носителей заряда в квантовых точках полупроводниковых соединений AIVBVI в стеклах и коллоидных растворах | ru |
| dc.title.alternative | Отчет о НИР (заключительный) : № ГР 20101041 | ru |
| dc.type | Technical Report | ru |
| dc.contributor.supervisor | Гапоненко, М. С. | ru |
