Методика расчета времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с несколькими типами дефектов
Bibliographic entry
Шадурская, Л. И. Методика расчета времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с несколькими типами дефектов / Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Теоретическая и прикладная механика : международный научно-технический сборник. – Вып. 18. – 2005. – С. 178-183.
Abstract in another language
A procedure for numerical self-consistent calculation of the occupation probability for defects and the lifetime of non-equilibrium charge carries in the semiconductors with the several types of defects as a function of the excitation level has been developed.