| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
| dc.contributor.author | Яржембицкая, Н. В. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2016-10-20T06:26:23Z | |
| dc.date.available | 2016-10-20T06:26:23Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.identifier.citation | Шадурская, Л. И. Методика расчета времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с несколькими типами дефектов / Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Теоретическая и прикладная механика : международный научно-технический сборник. – Вып. 18. – 2005. – С. 178-183. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/26008 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Методика расчета времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с несколькими типами дефектов | ru |
| dc.type | Article | ru |
| local.description.annotation | A procedure for numerical self-consistent calculation of the occupation probability for defects and the lifetime of non-equilibrium charge carries in the semiconductors with the several types of defects as a function of the excitation level has been developed. | |
