Разработка низкотемпературных сенсоров магнитного поля на основе гетероструктур Si/SiO2/Ni
Bibliographic entry
Канюков, Е. Ю. Разработка низкотемпературных сенсоров магнитного поля на основе гетероструктур Si/SiO2/Ni / Е. Ю. Канюков, С. Е. Демьянов // Приборы и методы измерений : научно-технический журнал = Devices and methods of measurements : Scientific and Engineering Journal / гл. ред. Романюк Ф.А. ; кол. авт. Министерство образования Республики Беларусь ; кол. авт. Белорусский национальный технический университет. – Минск : БНТУ, 2011. – №1(2). – С.10–16.
Abstract
На основе исследования гетероструктур Si/SiO2/Ni, полученных с использованием метода треков быстрых тяжелых ионов, представлены данные их электрических и магниторезистивных характеристик. Установлено наличие положительного магнитосопротивления, растущего с понижением температуры и достигающего при Т~25 К величины 600 %, что позволяет создать высокочувствительные сенсоры магнитного поля для аппаратуры космического применения, функционирующей при жидководородном охлаждении. Определены перспективы создания сенсоров с использованием чередующихся слоев из ферромагнитных и немагнитных металлов в нанопорах и показана возможность применения концепции «Управляемого электронного материала с порами в оксиде кремния».
View/
Collections
- №1 ( 2 )[19]