Исследование зависимости разрешающей способности от величины зазора между шаблоном и кремниевой пластиной в фотолитографии
Bibliographic entry
Исследование зависимости разрешающей способности от величины зазора между шаблоном и кремниевой пластиной в фотолитографии / Е. Н. Грудько, Е. А. Савицкая, Д. Ю. Есман [и др.] // Новые горизонты – 2025 : сборник материалов XII Белорусско-китайского молодежного инновационного форума, 27–28 ноября 2025 года / Белорусский национальный технический университет. – Минск : БНТУ, 2025. – Т. 2. – С. 32-33.
Abstract
In contact photolithography, the key parameter is the gap size between the photomask and the photoresist layer. Micrometer deviations lead to changes in the radiation intensity distribution and deterioration in the accuracy of topology transfer. As process standards decrease to the nanometer range, the influence of the gap becomes a critical quality factor.