Белорусский национальный технический университет
Repository of the Belarusian National Technical University
ISSN: 2310-7405
Repository of the Belarusian National Technical University
View Item 
  •   Repository BNTU
  • Материалы конференций и семинаров
  • Международные и республиканские конференции
  • Приборостроение
  • Приборостроение-2025
  • Материалы конференции по статьям
  • View Item
  •   Repository BNTU
  • Материалы конференций и семинаров
  • Международные и республиканские конференции
  • Приборостроение
  • Приборостроение-2025
  • Материалы конференции по статьям
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Формирование полупроводникового солнечного холодильника

Thumbnail
Authors
Сычик, В. А.
Уласюк, Н. Н.
Date
2025
Publisher
БНТУ
Another Title
Formation of a semiconductor solar refrigerator
Bibliographic entry
Сычик, В. А. Формирование полупроводникового солнечного холодильника = Formation of a semiconductor solar refrigerator / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 104-106.
Abstract
Способ изготовления термоэлектрического солнечного холодильника включает формирование термоэлектрического элемента, в котором на поверхность монокристаллической подложки из-за широкозонного полупроводника наносится первый p+-слой, который размещают на металлическом основании, на противоположной поверхности подложки формируют n-слой, на который последовательно наращивают эпитаксиальный i-слой и второй p+-слой, образца p+-i-n-p- p+ - структуру из широкозонного полупроводника и наносят на второй p+-слой электропроводящий просветляющий оптически прозрачный слой.
Abstract in another language
The method for manufacturing a thermoelectric solar refrigerator includes forming a thermoelectric element in which a first p+ layer is applied to the surface of a single-crystal substrate from a wide-bandgap semiconductor, which is placed on a metal base, an n-layer is formed on the opposite surface of the substrate, onto which an epitaxial i-layer and a second p+ layer are successively grown, of a p+-i-n-p-p+ structure from a wide-bandgap semiconductor, and an electrically conductive, antireflective, optically transparent layer is applied to the second p+ layer.
URI
https://rep.bntu.by/handle/data/162758
View/Open
104-106.pdf (364.4Kb)
Collections
  • Материалы конференции по статьям[252]
Show full item record
CORE Recommender

Belarusian National Technical University | Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
Яндекс.МетрикаIP Geolocation by DB-IP
Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
 

Browse

All of Repository BNTUCommunities & CollectionsAuthorsTitlesBy Issue DatePublisherBy Submit DateTypeThis CollectionAuthorsTitlesBy Issue DatePublisherBy Submit DateType

My Account

LoginRegister

Belarusian National Technical University | Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
Яндекс.МетрикаIP Geolocation by DB-IP
Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us