| dc.contributor.author | Сычик, В. А. | ru |
| dc.contributor.author | Уласюк, Н. Н. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2026-01-14T07:23:25Z | |
| dc.date.available | 2026-01-14T07:23:25Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Сычик, В. А. Формирование полупроводникового солнечного холодильника = Formation of a semiconductor solar refrigerator / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 104-106. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/162758 | |
| dc.description.abstract | Способ изготовления термоэлектрического солнечного холодильника включает формирование термоэлектрического элемента, в котором на поверхность монокристаллической подложки из-за широкозонного полупроводника наносится первый p+-слой, который размещают на металлическом основании, на противоположной поверхности подложки формируют n-слой, на который последовательно наращивают эпитаксиальный i-слой и второй p+-слой, образца p+-i-n-p- p+ - структуру из широкозонного полупроводника и наносят на второй p+-слой электропроводящий просветляющий оптически прозрачный слой. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Формирование полупроводникового солнечного холодильника | ru |
| dc.title.alternative | Formation of a semiconductor solar refrigerator | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | The method for manufacturing a thermoelectric solar refrigerator includes forming a thermoelectric element in which a first p+ layer is applied to the surface of a single-crystal substrate from a wide-bandgap semiconductor, which is placed on a metal base, an n-layer is formed on the opposite surface of the substrate, onto which an epitaxial i-layer and a second p+ layer are successively grown, of a p+-i-n-p-p+ structure from a wide-bandgap semiconductor, and an electrically conductive, antireflective, optically transparent layer is applied to the second p+ layer. | ru |
