Белорусский национальный технический университет
Repository of the Belarusian National Technical University
ISSN: 2310-7405
Repository of the Belarusian National Technical University
View Item 
  •   Repository BNTU
  • Материалы конференций и семинаров
  • Международные и республиканские конференции
  • Приборостроение
  • Приборостроение-2025
  • Материалы конференции по статьям
  • View Item
  •   Repository BNTU
  • Материалы конференций и семинаров
  • Международные и республиканские конференции
  • Приборостроение
  • Приборостроение-2025
  • Материалы конференции по статьям
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Устройство преобразования оптической энергии в электрическую

Thumbnail
Authors
Сычик, В. А.
Уласюк, Н. Н.
Date
2025
Publisher
БНТУ
Another Title
Device for converting optical energy into electrical energy
Bibliographic entry
Сычик, В. А. Устройство преобразования оптической энергии в электрическую = Device for converting optical energy into electrical energy / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 99-101.
Abstract
Преобразователь солнечной энергии в электрическую содержит фоточувствительную p+-p-in+- структуру из широкозонного полупроводника, реализованную в виде совокупности сформированных на расстоянии от 10 до 100 мкм друг от друга столбиков диаметром 50–100 мкм и высотой от 10 до 150 мкм каждый, нижний n+-слой представляет полупроводниковую подложку заданной толщины и электрически соединен с металлическим основанием, а на p+-слой нанесен электропроводящий просветляющий слой, на котором сформирован внешний металлический вывод.
Abstract in another language
A solar energy to electrical energy converter contains a photosensitive p+-p-i-n+ structure made of a wide-bandgap semiconductor, implemented in the form of a set of columns formed at a distance of 10 to 100 μm from each other, each with a diameter of 50–100 μm and a height of 10 to 150 μm, the lower n+ layer is a semiconductor substrate of a given thickness and is electrically connected to a metal base, and an electrically conductive antireflection layer is applied to the p+ layer, on which an external metal lead is formed.
URI
https://rep.bntu.by/handle/data/162756
View/Open
99-101.pdf (457.3Kb)
Collections
  • Материалы конференции по статьям[252]
Show full item record
CORE Recommender

Belarusian National Technical University | Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
Яндекс.МетрикаIP Geolocation by DB-IP
Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
 

Browse

All of Repository BNTUCommunities & CollectionsAuthorsTitlesBy Issue DatePublisherBy Submit DateTypeThis CollectionAuthorsTitlesBy Issue DatePublisherBy Submit DateType

My Account

LoginRegister

Belarusian National Technical University | Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
Яндекс.МетрикаIP Geolocation by DB-IP
Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us