| dc.contributor.author | Сычик, В. А. | ru |
| dc.contributor.author | Уласюк, Н. Н. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2026-01-14T07:23:25Z | |
| dc.date.available | 2026-01-14T07:23:25Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Сычик, В. А. Устройство преобразования оптической энергии в электрическую = Device for converting optical energy into electrical energy / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 99-101. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/162756 | |
| dc.description.abstract | Преобразователь солнечной энергии в электрическую содержит фоточувствительную p+-p-in+- структуру из широкозонного полупроводника, реализованную в виде совокупности сформированных на расстоянии от 10 до 100 мкм друг от друга столбиков диаметром 50–100 мкм и высотой от 10 до 150 мкм каждый, нижний n+-слой представляет полупроводниковую подложку заданной толщины и электрически соединен с металлическим основанием, а на p+-слой нанесен электропроводящий просветляющий слой, на котором сформирован внешний металлический вывод. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Устройство преобразования оптической энергии в электрическую | ru |
| dc.title.alternative | Device for converting optical energy into electrical energy | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | A solar energy to electrical energy converter contains a photosensitive p+-p-i-n+ structure made of a wide-bandgap semiconductor, implemented in the form of a set of columns formed at a distance of 10 to 100 μm from each other, each with a diameter of 50–100 μm and a height of 10 to 150 μm, the lower n+ layer is a semiconductor substrate of a given thickness and is electrically connected to a metal base, and an electrically conductive antireflection layer is applied to the p+ layer, on which an external metal lead is formed. | ru |
