Полупроводниковый термоэлектрический холодильник
Loading...
Files
Authors
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Semiconductor thermoelectric refrigerator
Abstract
Многослойный термоэлектрический холодильник структурно содержит термоэлектрический преобразователь с омическими контактами и внешними электрическими выводами. Термоэлектрический преобразователь реализован на основе широкозонных полупроводников и включает последовательно соединение n-p-гомопереход, вариозный слой, изотопный p-p+ – гетеропереход, сильно легированные n+ и p+ слои, при этом толщина областей n-p – гомоперехода составляет (0,5–0,9) Ld, толщина вариозного слоя равна (0,3-0,5) Ld, а толщина изотопного гетероперехода составляет (0,4–0,7) Ld, где Ld – диффузионная длина пробега электронов.
item.page.description-other
The multilayer thermoelectric refrigerator structurally comprises a thermoelectric converter with ohmic contacts and external electrical terminals. The thermoelectric converter is implemented based on wide-bandgap semiconductors and includes a series-connected n-p homojunction, a variozed layer, an isotopic p-p+ heterojunction, and heavily doped n+ and p+ layers. The thickness of the n-p homojunction regions is (0.5–0.9)Ld, the thickness of the variozed layer is (0.3–0.5)Ld, and the thickness of the isotopic heterojunction is (0.4–0.7)Ld, where Ld is the electron diffusion mean free path.
Description
Citation
Сычик, В. А. Полупроводниковый термоэлектрический холодильник = Semiconductor thermoelectric refrigerator / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 97-99.